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1. (WO2013047575) 上部電極、プラズマ処理装置及び電界強度分布の制御方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/047575    国際出願番号:    PCT/JP2012/074674
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 26.09.2012
IPC:
H05H 1/46 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MATSUYAMA, Shoichiro [JP/JP]; (JP) (US only).
ABE, Jun [JP/JP]; (JP) (US only).
ENDOU, Akira [JP/JP]; (JP) (US only)
発明者: MATSUYAMA, Shoichiro; (JP).
ABE, Jun; (JP).
ENDOU, Akira; (JP)
代理人: KANEMOTO, Tetsuo; Hazuki International, Kakubari Building, 1-20, Sumiyoshi-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620065 (JP)
優先権情報:
2011-218169 30.09.2011 JP
61/549,371 20.10.2011 US
発明の名称: (EN) UPPER ELECTRODE, PLASMA PROCESSING DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING ELECTRIC FIELD INTENSITY DISTRIBUTION
(FR) ÉLECTRODE SUPÉRIEURE, DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE LA RÉPARTITION DE L'INTENSITÉ D'UN CHAMP ÉLECTRIQUE
(JA) 上部電極、プラズマ処理装置及び電界強度分布の制御方法
要約: front page image
(EN)An upper electrode for a parallel-plate plasma processing device, wherein the plasma processing device includes: a substrate formed from a desired dielectric material; an electrical conductor layer formed in a predetermined pattern on at least some of the surface of the substrate on a side facing a lower electrode of the plasma processing device; and an auxiliary electrical conductor layer formed in a predetermined pattern on the same surface of the substrate on the side that the electrical conductor layer is formed, the auxiliary electrical conductor layer being electrically independent from the electrical conductor layer. Turning a switch on or off operates the state of connection between the electrical conductor layer and the auxiliary electrical conductor layer.
(FR)La présente invention concerne une électrode supérieure pour un dispositif de traitement par plasma à faces parallèles, ledit dispositif comprenant : un substrat formé à partir d'un matériau diélectrique souhaité; une couche électroconductrice formée dans un motif prédéfini sur au moins une partie de la surface du substrat sur un côté tourné vers une électrode inférieure du dispositif de traitement par plasma; et une couche électroconductrice auxiliaire formée dans un motif prédéfini sur la même surface du substrat sur le côté où la couche électroconductrice est formée, la couche électroconductrice auxiliaire étant électriquement indépendante de la couche électroconductrice. La mise sous ou hors tension d'un commutateur fait fonctionner l'état de connexion entre la couche électroconductrice et la couche électroconductrice auxiliaire.
(JA) 平行平板型のプラズマ処理装置用の上部電極であって、所望の誘電体から形成された基材と、基材の表面のうち、少なくともプラズマ処理装置の下部電極に対向する側の表面の一部に所定のパターンで形成された導電体層と、基材における導電体層が形成された側と同じ表面に所定のパターンで形成され、導電体層とは電気的に独立した補助導電体層とを含み、スイッチを開閉操作することで、導電体層と補助導電体層との接続状態を操作する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)