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1. (WO2013047531) プラズマエッチング方法及び半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/047531    国際出願番号:    PCT/JP2012/074581
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 25.09.2012
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KUBOTA, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (US only).
HONDA, Masanobu [JP/JP]; (JP) (US only).
KATSUNUMA, Takayuki [JP/JP]; (JP) (US only)
発明者: KUBOTA, Kazuhiro; (JP).
HONDA, Masanobu; (JP).
KATSUNUMA, Takayuki; (JP)
代理人: ITOH, Tadashige; 16th Floor, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Seimei Building), 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
2011-210945 27.09.2011 JP
2011-214927 29.09.2011 JP
61/549,327 20.10.2011 US
61/549,350 20.10.2011 US
発明の名称: (EN) PLASMA ETCHING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE PAR PLASMA ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) プラズマエッチング方法及び半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention provides a plasma etching method for etching a substrate in an etching device comprising a supply condition regulating unit for adjusting the supply conditions of an etching gas supplied to a substrate to be etched, a temperature regulating unit for regulating the temperature, along the radial direction, of the substrate loaded onto a loading base, and a plasma generating part which generates plasma in a space between the supply condition regulating part and the loading base. The plasma etching method includes a step in which the temperature of the substrate is controlled by the temperature regulating unit so that said temperature is uniform within the substrate plane, and a step in which the concentration distribution in the upper part of the substrate of active species in the plasma generated by the plasma generating part is regulated by the supply condition regulating unit.
(FR)La présente invention concerne un procédé de gravure par plasma permettant de graver un substrat dans un dispositif de gravure comprenant une unité de régulation des conditions d'alimentation permettant d'ajuster les conditions d'alimentation d'un gaz de gravure fourni à un substrat devant être gravé, une unité de régulation de la température permettant de réguler la température, le long de la direction radiale, du substrat chargé sur une base de chargement, et une partie de génération de plasma qui génère un plasma dans un espace entre la partie de régulation des conditions d'alimentation et la base de chargement. Le procédé de gravure par plasma comprend une étape dans laquelle la température du substrat est commandée par l'unité de régulation de température de sorte que ladite température soit uniforme dans le plan du substrat, et une étape dans laquelle la répartition de la concentration dans la partie supérieure du substrat d'espèces actives dans le plasma généré par la partie de génération de plasma est régulée par l'unité de régulation des conditions d'alimentation.
(JA) エッチング処理対象の基板へ供給されるエッチングガスの供給条件を調節する供給条件調整部と、載置台上に載置される前記基板の温度を前記半径方向に沿って調整する温度調整部と、前記供給条件調整部及び前記載置台の間の空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部とを有するエッチング装置において前記基板をエッチングするエッチング方法であって、前記基板の温度が前記基板面内で均一になるように前記温度調整部により制御する工程と、前記プラズマ発生部により発生されるプラズマ中の活性種の前記基板上方における濃度分布を前記供給条件調整部により調整する工程とを含むプラズマエッチング方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)