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1. (WO2013047506) 窒化物半導体製造装置用部材の洗浄方法、及び窒化物半導体製造装置用部材の洗浄装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/047506    国際出願番号:    PCT/JP2012/074536
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 25.09.2012
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), B08B 7/00 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
出願人: TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION [JP/JP]; 3-26, Koyama 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1428558 (JP)
発明者: ARIMURA Tadanobu; (JP).
TABUCHI Toshiya; (JP)
代理人: SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
優先権情報:
2011-210423 27.09.2011 JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR FABRICATION DEVICE MATERIAL WASHING METHOD AND NITRIDE SEMICONDUCTOR FABRICATION DEVICE MATERIAL WASHING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE LAVAGE DE MATÉRIAU DE DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体製造装置用部材の洗浄方法、及び窒化物半導体製造装置用部材の洗浄装置
要約: front page image
(EN)Provided is a method of washing, among materials which configure a nitride semiconductor fabrication device, a nitride semiconductor fabrication device material (13) including nitride semiconductors to which deposits have adhered, said method comprising: a step of chemical processing the nitride semiconductor fabrication device material with a washing gas including chlorinated gas; and a step of blowing a sublimating solid substance and removing the deposits from the nitride semiconductor fabrication device material (13).
(FR)L'invention concerne un procédé de lavage, parmi des matériaux qui constituent un dispositif de fabrication de semi-conducteurs au nitrure, un matériau de dispositif de fabrication de semi-conducteurs au nitrure (13) qui comprend des semi-conducteurs au nitrure sur lesquels des dépôts ont adhéré. Ledit procédé comprend : une étape de traitement chimique du matériau de dispositif de fabrication de semi-conducteurs au nitrure avec un gaz de lavage qui contient du gaz chloré ; et une étape de soufflage d'une substance solide de sublimation et de retrait des dépôts du matériau de dispositif de fabrication de semi-conducteurs au nitrure (13).
(JA)窒化物半導体製造装置を構成する部材のうち、窒化物半導体を含む堆積物が付着した窒化物半導体製造装置用部材(13)の洗浄方法であって、塩素系ガスを含む洗浄ガスにより、窒化物半導体製造装置用部材を化学処理する工程と、昇華性を有した固体状物質を吹き付けて、窒化物半導体製造装置用部材(13)から堆積物を除去する工程と、を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)