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1. (WO2013047464) エッチング方法及び装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/047464    国際出願番号:    PCT/JP2012/074468
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 25.09.2012
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
発明者: SEKINE, Takayuki; (JP).
SASAKI, Masaru; (JP).
MATSUMOTO, Naoki; (JP).
SHINPUKU, Eiichirou; (JP)
代理人: SHIOJIMA, Toshiyuki; Floral Akihabara bldg. 7F., 2-12, Kandasakumacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010025 (JP)
優先権情報:
2011-212450 28.09.2011 JP
発明の名称: (EN) ETCHING METHOD AND DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE GRAVURE
(JA) エッチング方法及び装置
要約: front page image
(EN)Provided are an etching method and device with which the selective etching ratio of a silicon oxide film to a silicon nitride film can be increased. A treatment gas containing a plasma excitation gas and a CHF gas is introduced to a treatment container (10) such that the flow rate ratio of the CHF gas to the plasma excitation gas is 1/15 or higher. By generating plasma inside the treatment container (10), a silicon oxide film (5) formed on a substrate (W) inside the treatment container (10) is etched selectively with respect to a silicon nitride film (1).
(FR)L'invention porte sur un procédé et un dispositif de gravure au moyen desquels le rapport de gravure sélective d'un film d'oxyde de silicium par rapport à un film de nitrure de silicium peut être accru. Un gaz de traitement contenant un gaz d'excitation de plasma et un gaz CHF est introduit dans un contenant de traitement (10) de manière à ce que le rapport de débit du gaz CHF sur celui du gaz d'excitation de plasma soit de 1/15 ou plus. Par génération d'un plasma à l'intérieur du contenant de traitement (10), un film d'oxyde de silicium (5) formé sur un substrat (W) à l'intérieur du contenant de traitement (10) est gravé sélectivement par rapport à un film de nitrure de silicium (1).
(JA) 酸化シリコン膜の窒化シリコン膜に対する選択比を高くできるエッチング方法及び装置を提供する。 処理容器10に、プラズマ励起用ガス及びCHF系ガスを含む処理ガスを、CHF系ガスのプラズマ励起用ガスに対する流量比が1/15以上になるように導入する。処理容器10内にプラズマを発生させることによって、処理容器10内の基板Wに形成された酸化シリコン膜5を前記窒化シリコン膜1に対して選択的にエッチングする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)