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1. (WO2013047457) 表示装置の製造方法および表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/047457    国際出願番号:    PCT/JP2012/074437
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 24.09.2012
IPC:
H05B 33/24 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 27/32 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01), H05B 33/26 (2006.01), H05B 33/28 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKAZAKI, Shoji; (US only).
SONODA, Tohru; (US only).
KATSUI, Hiromitsu; (US only).
TANAKA, Tetsunori; (US only)
発明者: OKAZAKI, Shoji; .
SONODA, Tohru; .
KATSUI, Hiromitsu; .
TANAKA, Tetsunori;
代理人: HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
優先権情報:
2011-218362 30.09.2011 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE, AND DISPLAY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 表示装置の製造方法および表示装置
要約: front page image
(EN)An a-ITO layer (112) is formed above a reflection electrode layer (111) and the layers are etched together; the a-ITO layer (112) is then converted to a p-ITO layer (114); and the difference in etching resistance between the p-ITO layer (114) and a transparent electrode layer formed above the p-ITO layer is used to layer the transparent electrode layer and to vary the thickness of the transparent electrode layer (121) between subpixels (71R, 71G, 71B).
(FR)Selon l'invention, une couche a-ITO (112) est formée au-dessus d'une couche d'électrode réfléchissante (111) et les couches sont gravées ensemble ; la couche a-ITO (112) est ensuite convertie en une couche p-ITO (114) ; la différence de résistance à la gravure entre la couche p-ITO (114) et une couche d'électrode transparente formée au-dessus de la couche p-ITO est utilisée pour stratifier la couche d'électrode transparente et pour faire varier l'épaisseur de la couche d'électrode transparente (121) entre des sous-pixels (71R, 71G, 71B).
(JA) 反射電極層(111)の上層にa-ITO層(112)を成膜して一括してエッチングした後、a-ITO層(112)をp-ITO層(114)に転化させ、p-ITO層(114)とその上に成膜される透明電極層とのエッチング耐性の違いを利用して透明電極層を積層してサブ画素(71R・71G・71B)間で透明電極層(121)の膜厚を変更する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)