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1. (WO2013047358) 高周波モジュール
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/047358    国際出願番号:    PCT/JP2012/074195
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 21.09.2012
IPC:
H04B 1/40 (2006.01)
出願人: Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
発明者: MURASE, Hisanori; (JP).
HAYAKAWA, Masashi; (JP).
UEJIMA, Takanori; (JP)
代理人: Kaede Patent Attorneys' Office; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
優先権情報:
2011-208958 26.09.2011 JP
発明の名称: (EN) HIGH-FREQUENCY MODULE
(FR) MODULE HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波モジュール
要約: front page image
(EN)This high-frequency module (10) is provided with a first switch element (21) and a second switch element (22) mounted to a laminate body (100). The first switch element (21) is provided with a common terminal (Pc1) and individual terminals (Pi11, Pi12, Pi13, Pi14). The second switch element (22) is provided with a common terminal (Pc2) and individual terminals (Pi21, Pi22, Pi23, Pi24). The individual terminals (Pi11, Pi12, Pi13, Pi21, Pi22, Pi23) are connected to one of the SAW filters (411, 412, 421, 422) mounted to the laminate body (100) or the low-pass filters (31, 32) formed in the laminate body (100). The individual terminals (Pi14, Pi24) are connected to an inner layer ground electrode (DPG01) in the laminate body (100) by means of conductive via holes (131, 132), thus being grounded.
(FR)L'invention porte sur un module haute fréquence (10) qui est pourvu d'un premier élément de commutation (21) et d'un second élément de commutation (22) montés sur un corps stratifié (100). Le premier élément de commutation (21) est pourvu d'une borne commune (Pc1) et de bornes individuelles (Pi11, Pi12, Pi13, Pi14). Le second élément de commutation (22) est pourvu d'une borne commune (Pc2) et de bornes individuelles (Pi21, Pi22, Pi23, Pi24). Les bornes individuelles (Pi11, Pi12, Pi13, Pi21, Pi22, Pi23) sont connectées soit à des filtres SAW (411, 412, 421, 422) montés sur le corps stratifié (100), soit à des filtres passe-bas (31, 32), formés dans le corps stratifié (100). Les bornes individuelles (Pi14, Pi24) sont connectées à une électrode de masse de couche interne (DPG01) dans le corps stratifié (100) au moyen de trous d'interconnexion conducteurs (131, 132), étant ainsi mises à la masse.
(JA) 高周波モジュール(10)は、積層体(100)に実装された第1スイッチ素子(21)、第2スイッチ素子(22)を備える。第1スイッチ素子(21)は共通端子(Pc1)と個別端子(Pi11,Pi12,Pi13,Pi14)を備える。第2スイッチ素子(22)は共通端子(Pc2)と個別端子(Pi21,Pi22,Pi23,Pi24)を備える。個別端子(Pi11,Pi12,Pi13,Pi21,Pi22,Pi23)は、積層体(100)に実装されたSAWフィルタ(411,412,421,422)、積層体(100)内に形成されたローパスフィルタ(31,32)のいずれかに接続されている。個別端子(Pi14,Pi24)は積層体(100)内の内層グランド電極(DPG01)に導電性ビアホール(131,132)で接続され、接地されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)