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1. (WO2013047330) 接合体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/047330    国際出願番号:    PCT/JP2012/074103
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 20.09.2012
IPC:
C04B 37/02 (2006.01), B23K 35/28 (2006.01), C22C 21/00 (2006.01), H01L 21/52 (2006.01), H01L 23/13 (2006.01)
出願人: NHK SPRING CO., LTD. [JP/JP]; 3-10, Fukuura, Kanazawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2360004 (JP)
発明者: SAITO, Shinji; (JP).
YAMAUCHI, Yuichiro; (JP)
代理人: SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
優先権情報:
2011-213302 28.09.2011 JP
発明の名称: (EN) JOINT
(FR) ASSEMBLAGE
(JA) 接合体
要約: front page image
(EN)Provided is a joint having a high joint strength and demonstrating excellent heat dissipation characteristics and heat resistance. The present invention comprises a semiconductor element (30) and an insulating ceramic substrate (10) on which is formed a circuit layer (20) to which the semiconductor element (30) is mounted. The semiconductor element (30) and the circuit layer (20) are bonded by brazing, in a vacuum or in an inert atmosphere, with an aluminum-based brazing filler (60) principally composed of aluminum and including at least one selected from the group consisting of germanium, magnesium, silicon, and copper.
(FR)L'invention concerne un assemblage ayant une résistance d'assemblage élevée et présentant d'excellentes caractéristiques de dissipation de la chaleur et une résistance à la chaleur. La présente invention comprend un élément semi-conducteur (30) et un substrat céramique isolant (10) dans lequel est formée une couche de circuit (20) qui met en œuvre l'élément semi-conducteur (30), l'élément semi-conducteur (30) et la couche de circuit (20) étant liés par brasage dans un vide ou dans une atmosphère inerte avec une charge de brasage à base d'aluminium (60) principalement composée d'aluminium et comprenant au moins un type choisi dans le groupe consistant en germanium, magnésium, silicium et cuivre.
(JA) 接合強度が高く、放熱特性および耐熱性にも優れる接合体を提供する。本発明は、半導体素子30と、半導体素子30を実装する回路層20が形成された絶縁性を有するセラミックス基板10と、を備え、半導体素子30と回路層20は、アルミニウムを主成分とし、ゲルマニウム、マグネシウム、珪素、銅からなる群より選択される少なくも1種類を含有するアルミニウム系ろう材60により、真空中または不活性雰囲気中でろう付けすることにより接合されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)