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1. (WO2013047323) 半導体装置の製造方法、半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/047323    国際出願番号:    PCT/JP2012/074075
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 20.09.2012
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01), C23C 14/14 (2006.01), C23C 14/58 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
出願人: ULVAC, Inc. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP)
発明者: HAMAGUCHI Junichi; (JP).
KODAIRA Shuji; (JP).
SAKAMOTO Yuta; (JP).
SANO Akifumi; (JP).
KAMADA Koukichi; (JP).
KADOKURA Yoshiyuki; (JP).
HIROISHI Joji; (JP).
NUMATA Yukinobu; (JP).
SUZUKI Koji; (JP)
代理人: SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
優先権情報:
2011-215847 30.09.2011 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法、半導体装置
要約: front page image
(EN)This method for producing a semiconductor device is provided with: a groove forming step for forming a groove at a substrate; a barrier layer forming step for forming a barrier layer that covers at least the inner wall surface of the groove; a seed layer forming step for forming a seed layer that covers the barrier layer; and a seed layer melting step for melting the seed layer by means of a reflow method. The seed layer comprises Cu.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de production de dispositif semi-conducteur qui comporte : une étape de formation de rainure consistant à former une rainure sur un substrat ; une étape de formation de couche de barrière consistant à former une couche de barrière qui recouvre au moins la surface de paroi intérieure de la rainure ; une étape de formation de couche de germe consistant à former une couche de germe qui recouvre la couche de barrière ; et une étape de fusion de couche de germe consistant à faire fondre la couche de germe au moyen d'un procédé de refusion. La couche de germe comprend Cu.
(JA) 半導体装置の製造方法は、基体に溝部を形成する溝部形成工程と、少なくとも前記溝部の内壁面を覆うバリア層を形成するバリア層形成工程と、前記バリア層を覆うシード層を形成するシード層形成工程と、前記シード層をリフロー法によって溶融させるシード層溶融工程と、を備え、前記シード層はCuからなる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)