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1. (WO2013047320) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/047320    国際出願番号:    PCT/JP2012/074060
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 20.09.2012
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), F01K 25/14 (2006.01), F01K 27/02 (2006.01)
出願人: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980 (JP)
発明者: NAKAGAWA, Hitoshi; (JP)
優先権情報:
2011-209168 26.09.2011 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RECORDING MEDIUM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
要約: front page image
(EN)A substrate treatment device according to the present invention comprises a reaction chamber for heat-treating a substrate, a transportation chamber for transporting the heated substrate, a coolant flow path provided in the reaction chamber, a coolant supply part provided in the coolant flow path, a coolant exhaust part provided in the coolant flow path, a transportation chamber coolant supply part provided in the transportation chamber, a transportation chamber coolant exhaust part provided in the transportation chamber, a heat-exchanger connected to a coolant exhaust pipe and the transportation chamber coolant exhaust part, a turbine connected to the heat-exchanger, a generator connected to the turbine, and a control unit for controlling the coolant supply part and the transportation chamber coolant supply part.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif de traitement de substrat, lequel dispositif comprend une chambre de réaction pour traiter thermiquement un substrat, une chambre de transport pour transporter le substrat chauffé, une trajectoire d'écoulement d'agent de refroidissement disposée dans la chambre de réaction, une partie d'alimentation en agent de refroidissement disposée dans la trajectoire d'écoulement d'agent de refroidissement, une partie d'évacuation d'agent de refroidissement disposée dans la trajectoire d'écoulement d'agent de refroidissement, une partie d'alimentation en agent de refroidissement de chambre de transport disposée dans la chambre de transport, une partie d'évacuation d'agent de refroidissement de chambre de transport disposée dans la chambre de transport, un échangeur de chaleur relié à un tuyau d'évacuation d'agent de refroidissement et à la partie d'évacuation d'agent de refroidissement de chambre de transport, une turbine reliée à l'échangeur de chaleur, un générateur relié à la turbine, et une unité de commande pour commander la partie d'alimentation en agent de refroidissement et la partie d'alimentation en agent de refroidissement de chambre de transport.
(JA) 基板を加熱処理する反応室と、加熱された基板を搬送する搬送室と、前記反応室に設けられた冷媒流路と、前記冷媒流路に設けられた冷媒供給部、前記冷媒流路に設けられた冷媒排気部と、前記搬送室に設けられた搬送室冷媒供給部と、前記搬送室に設けられた搬送室冷媒排気部と、前記冷媒排気管と前記搬送室冷媒排気部に接続された熱交換器と、前記熱交換器に接続されたタービンと、前記タービンに接続された発電機と、前記冷媒供給部と前記搬送室冷媒供給部とを制御する制御部と、を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)