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1. (WO2013047107) 発光素子及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/047107    国際出願番号:    PCT/JP2012/072448
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 04.09.2012
IPC:
H01S 5/22 (2006.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KURAMOTO Masaru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KODA Rintaro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WATANABE Hideki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KURAMOTO Masaru; (JP).
KODA Rintaro; (JP).
WATANABE Hideki; (JP)
代理人: TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
2011-210354 27.09.2011 JP
発明の名称: (EN) LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 発光素子及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a high-output light emitting element capable of emitting a single-mode light beam. The light emitting element is provided with a laminated structure (20) formed by sequentially laminating a first compound semiconductor layer (21), an active layer (23), and a second compound semiconductor layer (22) on a substrate (20'), a second electrode (32), and a first electrode (31). The first compound semiconductor layer (21) has a laminated construction of a first clad layer (121A) and a first light guide layer (121B) from the substrate side, and the laminated structure has a ridge stripe structure (20A) configured from the second compound semiconductor layer (22), the active layer (23), and a part (121B') in the thickness direction of the first light guide layer. 6×10-7m1 and 0(m)< t1'≤0.5·t1 are satisfied where t1 is the thickness of the first light guide layer (121B) and t1' is the thickness of the part (121B') that constitutes the ridge stripe structure (20A) of the first light guide layer.
(FR)L'invention concerne un élément électroluminescent à forte intensité apte à émettre un faisceau lumineux monomode. L'élément électroluminescent est doté d'une structure stratifiée (20) obtenue par stratification séquentielle d'une première couche semiconductrice composite (21), d'une couche active (23) et d'une seconde couche semiconductrice composite (22) sur un substrat (20'), d'une seconde électrode (32) et d'une première électrode (31). La première couche semiconductrice composite (21) comprend une construction stratifiée faite d'une première couche de confinement (121A) et d'une première couche guide de lumière (121B) à partir du côté du substrat et la structure stratifiée possède une structure en bande formant saillie (20A) configurée à partir de la seconde couche semiconductrice composite (22), de la couche active (23) et d'une partie (121B') dans la direction de l'épaisseur de la première couche guide de lumière. Les relations 6 × 10-7 m < t1 et 0 (m) < t1' ≤ 0,5 ⋅ t1 sont satisfaites, pour t1 étant l'épaisseur de la première couche guide de lumière (121B) et t1' étant l'épaisseur de la partie (121B') qui constitue la structure en bande formant saillie (20A) de la première couche guide de lumière.
(JA) 単一モードを有する光ビームを出射し得る、高出力の発光素子を提供する。発光素子は、第1化合物半導体層21、活性層23及び第2化合物半導体層22が、順次、基体20'上に積層されて成る積層構造体20、第2電極32、並びに、第1電極31を備えている。第1化合物半導体層21は、基体側から、第1クラッド層121A及び第1光ガイド層121Bの積層構造を有し、積層構造体は、第2化合物半導体層22、活性層23、及び、第1光ガイド層の厚さ方向の一部分121B'から構成されたリッジストライプ構造20Aを有する。第1光ガイド層121Bの厚さをt1、リッジストライプ構造20Aを構成する第1光ガイド層の部分121Bの厚さをt1'としたとき、6×10-7m<t1,0(m)<t1'≦0.5・t1を満足する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)