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1. (WO2013047000) マイクロ波放射機構、表面波プラズマ源および表面波プラズマ処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/047000    国際出願番号:    PCT/JP2012/070988
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 20.08.2012
IPC:
H05H 1/46 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H05H 1/00 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
IKEDA Taro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OSADA Yuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYASHITA Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KASAI Shigeru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: IKEDA Taro; (JP).
OSADA Yuki; (JP).
MIYASHITA Hiroyuki; (JP).
KASAI Shigeru; (JP)
代理人: TAKAYAMA Hiroshi; Daisan Inoue Bldg. 3F, 5-8-1, Futago, Takatsu-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2130002 (JP)
優先権情報:
2011-216540 30.09.2011 JP
発明の名称: (EN) MICROWAVE RADIATING MECHANISM, SURFACE WAVE PLASMA SOURCE, AND SURFACE WAVE PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) MÉCANISME À RAYONNEMENT MICRO-ONDES, SOURCE DE PLASMA À ONDES DE SURFACE, ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA À ONDES DE SURFACE
(JA) マイクロ波放射機構、表面波プラズマ源および表面波プラズマ処理装置
要約: front page image
(EN)A microwave radiating mechanism (41) comprises: a surface wave plasma emitting antenna (81); a slow wave material (82) formed from a dielectric; a dielectric member (83) in which an electric field is formed for generating a surface wave plasma by microwaves radiated from the antenna (81); either an electric field sensor (112) or a plasma light emission sensor (113); and sensor via holes (110) which are disposed for the passage of the slow wave material (82) and the surface wave plasma emitting antenna (81). The sensor through holes (110) are formed in a region corresponding to the interior of a slot in a concentric circle with an equivalent one or more integer multiples of one or more slots. Either the electric field sensor (112) or the plasma light emission sensor (113) is inserted into at least one of the sensor through holes (110).
(FR)La présente invention concerne un mécanisme de rayonnement micro-ondes (41) qui comprend : une antenne d'émission de plasma à ondes de surface (81); un matériau à onde lente (82) formé d'un diélectrique; un élément diélectrique (83) dans lequel un champ électrique est formé pour la génération d'un plasma à ondes de surface par des micro-ondes diffusées par l'antenne (81); soit un capteur de champ électrique (112), soit un capteur d'émission de lumière plasma (81); et des trous d'interconnexion de capteur (110) qui sont disposés pour le passage du matériau à onde lente (82) et l'antenne d'émission de plasma à ondes de surface (81). Les trous d'interconnexion de capteur (110) sont formés dans une région correspondant à l'intérieur d'une fente dans un cercle concentrique possédant l'équivalent d'un ou de plusieurs multiples entiers d'une ou de plusieurs fentes. Soit le capteur de champ électrique (112), soit le capteur d'émission de lumière plasma (113) est inséré dans au moins un des trous d'interconnexion de capteur (110).
(JA) マイクロ波放射機構(41)は、表面波プラズマ発生用アンテナ(81)と、誘電体からなる遅波材(82)と、アンテナ(81)から放射されたマイクロ波により表面波プラズマを生成するための電界が形成される誘電体部材(83)と、電界センサ(112)またはプラズマ発光センサ(113)と、遅波材(82)および表面波プラズマ発生用アンテナ(81)を貫通するように設けられたセンサ挿入孔(110)とを具備している。センサ挿入孔(110)は、スロット内側に対応する領域に、同一の円周上にスロットの1以上の整数倍の個数が均等に形成されており、電界センサ(112)またはプラズマ発光センサ(113)は、センサ挿入孔(110)の少なくとも一つに挿入されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)