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1. (WO2013046977) 炭化珪素半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/046977    国際出願番号:    PCT/JP2012/070738
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 15.08.2012
IPC:
H01L 29/12 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HIYOSHI, Toru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MASUDA, Takeyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WADA, Keiji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HIYOSHI, Toru; (JP).
MASUDA, Takeyoshi; (JP).
WADA, Keiji; (JP)
代理人: Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2011-211941 28.09.2011 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A p collector layer (101e) is formed upon an n silicon carbide substrate (90). An n drift layer (102) is formed upon the upper face side of the collector layer (101e). A p body region (103) which is disposed upon the drift layer (102), and an n emitter region (104) which is disposed upon the body region (103) to be separated from the drift region (102) by the body region (103), are formed. Removing the silicon carbide substrate (90) exposes the bottom face side (101B) of the collector layer (101e).
(FR)Le procédé selon l'invention consiste à former une couche collectrice p (101e) sur un substrat de carbure de silicium n (90) ; à former une couche de dérive n (102) sur la face supérieure de la couche collectrice (101e) ; à former une région corps p (103) qui est disposée sur la couche de dérive (102) et une région émettrice n (104) qui est disposée sur la région corps (103) devant être séparé de la région de dérive (102) par la région corps (103) ; à exposer la face inférieure (101B) de la couche collectrice (101e) en enlevant le substrat de carbure de silicium (90).
(JA) n型を有する炭化珪素基板(90)の上にp型を有するコレクタ層(101e)が形成される。コレクタ層(101e)の上面側の上に、n型を有するドリフト層(102)が形成される。ドリフト層(102)の上に設けられp型を有するボディ領域(103)と、ボディ領域(103)によってドリフト層(102)から隔てられるようにボディ領域(103)の上に設けられn型を有するエミッタ領域(104)とが形成される。炭化珪素基板(90)を除去することによってコレクタ層(101e)の底面側(101B)が露出される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)