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1. (WO2013046972) 固体撮像素子及び撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/046972    国際出願番号:    PCT/JP2012/070662
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 14.08.2012
予備審査請求日:    14.12.2012    
IPC:
H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/374 (2011.01), H04N 5/3745 (2011.01)
出願人: FUJIFILM Corporation [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1060031 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TANAKA Shunsuke; (米国のみ)
発明者: TANAKA Shunsuke;
代理人: TAKAMATSU Takeshi; Koh-Ei Patent Firm, Toranomon East Bldg. 9F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2011-211337 27.09.2011 JP
発明の名称: (EN) SOLID STATE IMAGE CAPTURE ELEMENT AND IMAGE CAPTURE DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE
(JA) 固体撮像素子及び撮像装置
要約: front page image
(EN)A solid-state image capture element comprises: a plurality of PDs which are positioned and formed in a two-dimensional shape within a semiconductor substrate; and a signal read-out circuit which is configured of MOS transistors which read out signals corresponding to charges which are emitted with each PD. A microlens which collects light is formed above each PD. An interlayer insulation film which configures an insulation layer in which wiring is embedded is formed between the semiconductor substrate and the microlenses. Cylindrical structures which surround portions of light collecting paths from each microlens are formed in the interlayer insulation film. The structure is configured with a non-conductive material with a different refractive index from the refractive index of the surrounding interlayer insulation film.
(FR)L'invention porte sur un élément de capture d'image à semi-conducteur qui comprend : une pluralité de photodiodes (PD) qui sont positionnées et formées en une forme bidimensionnelle dans un substrat semi-conducteur ; et un circuit de lecture de signal qui est configuré de transistors MOS qui lisent des signaux correspondant à des charges qui sont émises par chaque PD. Une microlentille qui collecte de la lumière est formée au-dessus de chaque PD. Un film d'isolation intercouche qui configure une couche d'isolation dans laquelle un câblage est incorporé est formé entre le substrat semi-conducteur et les microlentilles. Des structures cylindriques qui entourent des parties de chemins de collecte de lumière provenant de chaque microlentille sont formées dans le film d'isolation intercouche. La structure est configurée avec un matériau non conducteur ayant un indice de réfraction différent de l'indice de réfraction du film d'isolation intercouche environnant.
(JA) 固体撮像素子は、半導体基板内に二次元状に配置形成された複数のPDと、各PDで発生した電荷に応じた信号を読み出すMOSトランジスタにより構成される信号読み出し回路とを有する。各PD上方には光を集光するマイクロレンズが形成される。半導体基板とマイクロレンズとの間には配線が埋設される絶縁層を構成する層間絶縁膜が形成される。層間絶縁膜内にはマイクロレンズによる集光光路の一部を取り囲む筒状の構造物が形成される。構造物は、その周囲の層間絶縁膜の屈折率と異なる屈折率の非導電性材料で構成される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)