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1. (WO2013046642) 堆積物除去方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/046642    国際出願番号:    PCT/JP2012/006091
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 25.09.2012
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAHARA, Shigeru [JP/JP]; (JP) (US only).
NISHIMURA, Eiichi [JP/JP]; (JP) (US only).
MATSUMOTO, Takanori [JP/JP]; (JP) (US only)
発明者: TAHARA, Shigeru; (JP).
NISHIMURA, Eiichi; (JP).
MATSUMOTO, Takanori; (JP)
代理人: SAKURA PATENT OFFICE, P.C.; PMO Kanda Tsukasa-machi, 8-1, Kanda Tsukasa-machi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010048 (JP)
優先権情報:
2011-213677 29.09.2011 JP
発明の名称: (EN) DEPOSIT REMOVAL METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE RETRAIT DE DÉPÔT
(JA) 堆積物除去方法
要約: front page image
(EN)The invention is a deposit removal method for removing a deposit that has been deposited on a pattern surface formed on a substrate by means of etching, said deposit removal method comprising: a first process step in which the substrate is exposed to an atmosphere containing hydrogen fluoride gas; an oxygen plasma process step after the first process step, in which the substrate is exposed to an oxygen plasma while being heated; and a second process step after the oxygen plasma process step, in which the substrate is exposed to an atmosphere containing hydrogen fluoride gas.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de retrait de dépôt pour retirer un dépôt qui a été déposé sur une surface de motif formée sur un substrat au moyen d'une gravure, ledit procédé de retrait de dépôt comprenant : une première étape de traitement dans laquelle le substrat est exposé à une atmosphère contenant un gaz de fluorure d'hydrogène; une étape de traitement au plasma d'oxygène après la première étape de traitement, dans laquelle le substrat est exposé à un plasma d'oxygène tout en étant chauffé; et une seconde étape de traitement après l'étape de traitement au plasma d'oxygène, dans laquelle le substrat est exposé à une atmosphère contenant un gaz de fluorure d'hydrogène.
(JA) 基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第1処理工程と、第1処理工程の後に、基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、酸素プラズマ処理工程の後に、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第2処理工程と、を具備している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)