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1. (WO2013046640) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/046640    国際出願番号:    PCT/JP2012/006086
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 25.09.2012
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
発明者: WATANABE, Hikaru; (JP).
HONDA, Masanobu; (JP)
代理人: SASAKI, Seikoh; SASAKI & ASSOCIATES, 303 Surugadai Saikachizaka Building, 2-11-16, Kanda-surugadai, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
優先権情報:
2011-209133 26.09.2011 JP
61/544,331 07.10.2011 US
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
要約: front page image
(EN)[Problem] To maintain advantages of conventional technologies of an upper portion DC applying system, and to eliminate disadvantages of the upper portion DC applying system. [Solution] In a capacity-coupled plasma processing apparatus of the present invention, first high frequency waves (RFH) that mainly contribute to generating plasma, and second high frequency waves (RFL) that mainly contribute to taking in ions are superimposed and applied to a susceptor (lower electrode) (16). An alternating current (AC) at a constant frequency is applied to an upper electrode (46) from an alternating current power supply (64) via a matching box (66) and a blocking capacitor (68). The alternating current (AC) has a frequency at which ions in the plasma are applicable, and power, a voltage wave height value or an effective value of the alternating current (AC) can be varied in the alternating current power supply (64).
(FR)L'invention vise à conserver les avantages de technologies classiques d'un système d'application de courant continu en partie supérieure, et à éliminer les inconvénients du système d'application de courant continu en partie supérieure. A cet effet, dans un appareil de traitement au plasma à couplage capacitif selon la présente invention, des premières ondes haute fréquence (RFH) qui contribuent principalement à la génération de plasma, et des secondes ondes haute fréquence (RFL) qui contribuent principalement à la prise d'ions, sont superposées et appliquées à un suscepteur (électrode inférieure) (16). Un courant alternatif (CA) à une fréquence constante est appliqué à une électrode supérieure (46) à partir d'une alimentation électrique en courant alternatif (64) par l'intermédiaire d'une boîte d'adaptation (66) et d'un condensateur de blocage (68). Le courant alternatif (CA) a une fréquence à laquelle des ions dans le plasma sont applicables, et une puissance, la valeur de hauteur d'onde de tension ou une valeur efficace du courant alternatif (CA) pouvant être amenée à varier dans l'alimentation électrique en courant alternatif (64).
(JA)【課題】従来技術の上部DC印加方式の長所を踏襲し、かつ上部DC印加方式の不利点を解消すること。 【解決手段】この容量結合型プラズマ処理装置において、サセプタ(下部電極)16には、プラズマの生成に主として寄与する第1の高周波RFHとイオンの引き込みに主として寄与する第2の高周波RFLが重畳して印加される。一方、上部電極46には、交流電源64より整合器66およびブロッキングコンデンサ68を介して一定周波数の交流ACが印加される。この交流ACは、プラズマ中のイオンが追従できる周波数を有し、交流電源64において交流ACのパワー、電圧波高値または実効値を可変できるようになっている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)