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1. (WO2013046537) 縦型半導体素子を備えた半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/046537    国際出願番号:    PCT/JP2012/005463
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 30.08.2012
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
出願人: DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAGATA, Yuma [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AKAGI, Nozomu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KAGATA, Yuma; (JP).
AKAGI, Nozomu; (JP)
代理人: KIN, Junhi; 6th Floor, Takisada Bldg., 2-13-19, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-city, Aichi 4600003 (JP)
優先権情報:
2011-210676 27.09.2011 JP
2012-161523 20.07.2012 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH VERTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR POURVU D'UN ÉLÉMENT VERTICAL À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 縦型半導体素子を備えた半導体装置
要約: front page image
(EN)This semiconductor device that is provided with a vertical semiconductor element has a trench gate structure and a dummy gate structure. The trench gate structure has a first trench (7) which is formed to reach a first conductivity-type region (2b) in a super junction structure by penetrating a first impurity region (5) and a base region (4). The dummy gate structure has a second trench (10), which reaches the super junction structure by penetrating the base region (4), and is formed deeper than the first trench (7).
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur pourvu d'un élément semi-conducteur vertical présentant une structure à grille de tranchée et une structure à grille factice. La structure à grille de tranchée présente une première tranchée (7) conçue de manière à atteindre une zone du type à première conductivité (2b) dans une structure de jonction supérieure par pénétration dans une première zone d'impureté (5) et une zone de base (4). La structure de grille factice présente une seconde tranchée (10) atteignant la structure de super jonction par pénétration dans la zone de base (4), et est plus profonde que la première tranchée (7).
(JA) 縦型半導体素子を備えた半導体装置は、トレンチゲート構造とダミーゲート構造を有する。前記トレンチゲート構造は、第1不純物領域(5)およびベース領域(4)を貫通してスーパージャンクション構造における第1導電型領域(2b)に達するように形成された第1トレンチ(7)を有する。前記ダミーゲート構造は、前記ベース領域(4)を貫通して前記スーパージャンクション構造に達し、前記第1トレンチ(7)よりも深く形成されている第2トレンチ(10)を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)