WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2013046525) 貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法、及び貼り合わせSOIウェーハの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/046525    国際出願番号:    PCT/JP2012/005214
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 21.08.2012
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
出願人: Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YOKOKAWA, Isao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AGA, Hiroji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIZUSAWA, Yasushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YOKOKAWA, Isao; (JP).
AGA, Hiroji; (JP).
MIZUSAWA, Yasushi; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
優先権情報:
2011-215617 29.09.2011 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR CALCULATING WARPING OF BONDED SOI WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING BONDED SOI WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE CALCUL DE DÉFORMATION DE TRANCHE DE SOI LIÉE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE TRANCHE DE SOI LIÉE
(JA) 貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法、及び貼り合わせSOIウェーハの製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention provides a method for calculating the warping of a bonded SOI wafer. An SOI epitaxial wafer having a structure composed of a BOX layer on a base wafer and an SOI layer on the BOX layer is manufactured by forming a thermal oxide film on either a bond wafer surface or a base wafer surface or both surfaces thereof and bonding said bond wafer and said base wafer via the thermal oxide film, and then thinning said bond wafer. The bonded SOI wafer is manufactured by growing the epitaxial layer. The method for calculating the warping for a bonded SOI wafer comprises calculating warping (A) generated when performing the epitaxial growth for an assumed silicon monocrystal wafer under the assumption that said SOI epitaxial wafer is the silicon monocrystal wafer having the same dopant concentration as that of said bond wafer, calculating warping (B) due to the thickness of the BOX layer of said SOI epitaxial wafer, setting as warping (C) the actual measured value of the warping of the base wafer prior to bonding, and calculating the total of the warping (A + B + C) as said warping of the bonded SOI wafer. Thus, a method for preliminarily calculating the warping of the bonded SOI wafer and a method for manufacturing a bonded SOI wafer having desired warping by using the calculation method are provided.
(FR)La présente invention porte sur un procédé pour calculer la déformation d'une tranche de silicium sur isolant (SOI) liée. Une tranche épitaxiale de SOI ayant une structure composée d'une couche de BOX sur une tranche de base et d'une couche de SOI sur la couche de BOX est fabriquée par formation d'un film d'oxyde thermique sur l'une ou l'autre d'une surface de tranche de liaison ou d'une surface de tranche de base, ou de ces deux surfaces, et liaison de ladite tranche de liaison et de ladite tranche de base par l'intermédiaire du film d'oxyde thermique, puis amincissement de ladite tranche de liaison. La tranche de SOI liée est fabriquée par croissance de la couche épitaxiale. Le procédé de calcul de la déformation pour une tranche de SOI liée comprend le calcul de la déformation (A) générée lors de l'exécution de la croissance épitaxiale pour une supposée tranche de silicium monocristallin sous l'hypothèse que ladite tranche épitaxiale de SOI est la tranche de silicium monocristallin ayant la même concentration de dopant que celle de la tranche de liaison, le calcul de la déformation (B) due à l'épaisseur de la couche de BOX de ladite couche épitaxiale de SOI, la définition, comme déformation (C), de la valeur de mesure réelle de la déformation de la tranche de base avant la liaison, et le calcul du total de la déformation (A + B + C) en tant que déformation de la tranche de SOI liée. Ainsi, sont proposés un procédé de calcul préliminaire de la déformation de la tranche de SOI liée et un procédé de fabrication d'une tranche de SOI liée ayant la déformation désirée par utilisation de la méthode de calcul.
(JA) 本発明は、ボンドウェーハ及びベースウェーハのうちのいずれか一方の表面、あるいはその両方の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を介して前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化することによって、前記ベースウェーハ上のBOX層と、該BOX層上のSOI層とからなる構造のエピタキシャル成長用SOIウェーハを作製し、エピタキシャル層を成長することによって作製される貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法であって、前記エピタキシャル成長用SOIウェーハが前記ボンドウェーハのドーパント濃度と同一のドーパント濃度を有するシリコン単結晶ウェーハであると仮想し、該仮想シリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル成長を行った際に発生する反りAを算出し、前記エピタキシャル成長用SOIウェーハの前記BOX層の厚さに起因する反りBを算出し、さらに、前記貼り合わせ前のベースウェーハの反りの実測値を反りCとし、これらの反りの総和(A+B+C)を、前記貼り合わせSOIウェーハの反りとして算出することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法である。これにより、貼り合わせSOIウェーハの反りを予め算出する方法、更に、その算出方法を用いることによって、所望の反りを有する貼り合わせSOIウェーハを製造する方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)