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1. (WO2013046400) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/046400    国際出願番号:    PCT/JP2011/072433
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 29.09.2011
予備審査請求日:    02.03.2012    
IPC:
H01L 25/07 (2006.01), H01L 23/28 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
出願人: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHNO, Hirotaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KADOGUCHI, Takuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OHNO, Hirotaka; (JP).
KADOGUCHI, Takuya; (JP)
代理人: ITOH, Tadahiko; 16th Floor, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Seimei Building), 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)In order to address the problem of providing a semiconductor device in which fatigue fractures in semiconductor elements and an electrode are suppressed, this semiconductor device includes: a first metal plate; a plurality of semiconductor elements mounted on the first metal plate; a spacer that is connected to a surface on the opposite side to the surface where the plurality of semiconductor elements are mounted on the first metal plate; a second metal plate that is connected to a surface on the opposite side to the surface where the spacer is connected to the semiconductor elements; and an encapsulating resin between the first plate and the second plate that seals the plurality of semiconductor elements. Stress due to contraction that occurs in the encapsulating resin between the plurality of semiconductor elements is mitigated to a greater extent than stress due to contraction that occurs in the encapsulating resin in the locations other than the location between the plurality of semiconductor devices.
(FR)Afin de fournir un dispositif semi-conducteur dans lequel sont évitées les fractures de fatigue dans les éléments semi-conducteurs et dans une électrode, le dispositif semi-conducteur comprend : une première plaque métallique ; une pluralité d'éléments semi-conducteurs montés sur la première plaque métallique ; une entretoise qui est placée sur une surface de la première plaque métallique située du côté opposé à la surface où est montée la pluralité d'éléments semi-conducteurs ; une seconde plaque métallique qui est placée sur une surface située du côté opposé à la surface où l'entretoise est connectée aux éléments semi-conducteurs ; et une résine d'encapsulation entre la première plaque et la seconde plaque, qui encapsule la pluralité d'éléments semi-conducteurs. Les contraintes dues à la contraction qui se produit dans la résine d'encapsulation entre la pluralité d'éléments semi-conducteurs sont atténuées plus fortement que celles qui sont dues à la contraction qui se produit dans la résine d'encapsulation dans des endroits autres que l'endroit situé entre la pluralité de dispositifs semi-conducteurs.
(JA) 半導体素子と電極との疲労破断を抑制した半導体装置を提供することを課題とする。 半導体装置は、第1金属板と、前記第1金属板に実装される複数の半導体素子と、前記複数の半導体素子の前記第1金属板への実装面とは反対側の面に接続されるスペーサと、前記スペーサの前記半導体素子との接続面とは反対側の面に接続される第2金属板と、前記第1金属板及び前記第2金属板との間で前記複数の半導体素子を封止する封止樹脂とを含み、前記複数の半導体素子の間において前記封止樹脂に生じる収縮による応力は、前記複数の半導体素子の間以外の部位において前記封止樹脂に生じる収縮による応力よりも緩和される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)