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1. (WO2013046378) IGBTとその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/046378    国際出願番号:    PCT/JP2011/072274
国際公開日: 04.04.2013 国際出願日: 28.09.2011
IPC:
H01L 29/739 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SENOO Masaru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYAGI Kyosuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NISHIWAKI Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAITO Jun [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SENOO Masaru; (JP).
MIYAGI Kyosuke; (JP).
NISHIWAKI Tsuyoshi; (JP).
SAITO Jun; (JP)
代理人: KAI-U PATENT LAW FIRM; NAGOYA LUCENT TOWER 9F, 6-1, Ushijima-cho, Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi 4516009 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) IGBT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) IGBT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) IGBTとその製造方法
要約: front page image
(EN)In the present invention, an IGBT has an emitter region, a top body region formed below the emitter region, a floating region formed below the top body region, a bottom body region formed below the floating region, a trench, a gate insulating film that covers the inner surface of the trench, and a gate electrode disposed inside the trench. When looking along the thickness direction of the semiconductor substrate at the p-type impurity concentration distribution within the top body region and within the floating region, which are located below the emitter region, the p-type impurity concentration decreases in a direction downward from the top edge of the top body region positioned below the emitter region, and a minimum value is reached at a prescribed depth within the floating region.
(FR)La présente invention concerne un IGBT (transistor bipolaire à porte isolée) qui possède une région émettrice, une région de corps supérieur formée au-dessous de la région émettrice, une région flottante formée au-dessous de la région de corps supérieur, une région de corps inférieur formée au-dessous de la région flottante, une tranchée, un film d'isolation de grille qui recouvre la surface intérieure de la tranchée et une électrode de grille disposée dans la tranchée. Lorsqu'on regarde dans la direction de l'épaisseur du substrat semi-conducteur la distribution de la concentration d'impuretés de type p dans la région de corps supérieur et dans la région flottante, qui sont situées au-dessous de la région émettrice, la concentration d'impuretés de type p décroît dans une direction partant vers le bas à partir de l'arête supérieure de la région de corps supérieur, placée au-dessous de la région émettrice, et une valeur minimale est atteinte à une profondeur prédéterminée dans la région flottante.
(JA) IGBTは、エミッタ領域と、エミッタ領域の下側に形成されているトップボディ領域と、トップボディ領域の下側に形成されているフローティング領域と、フローティング領域の下側に形成されているボトムボディ領域と、トレンチと、トレンチの内面を覆っているゲート絶縁膜と、トレンチの内部に配置されているゲート電極を有している。エミッタ領域よりも下側に位置するトップボディ領域内とフローティング領域内のp型不純物濃度分布を半導体基板の厚み方向に沿って見たときに、p型不純物濃度がエミッタ領域よりも下側に位置するトップボディ領域の上端から下側に向かうに従って減少し、フローティング領域内の所定深さで極小値となる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)