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1. (WO2013042755) 有機半導体素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/042755    国際出願番号:    PCT/JP2012/074125
国際公開日: 28.03.2013 国際出願日: 13.09.2012
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1,Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUNAGA, Kazuhisa [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUNAGA, Kazuhisa; (JP)
代理人: SHIMOSAKA, Naoki; c/o NEC CORPORATION, 7-1,Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP)
優先権情報:
2011-206947 22.09.2011 JP
発明の名称: (EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 有機半導体素子
要約: front page image
(EN)An organic semiconductor device of the present invention is a bottom-gate organic semiconductor element wherein a gate layer is formed on a substrate and an organic semiconductor layer, in which a source/drain region and a channel region are formed, is arranged on an insulating layer that is formed on the gate layer. The insulating film is formed on the lateral surface and the upper surface of the gate layer, and a channel region is formed on at least the lateral surface of the gate layer.
(FR)Un dispositif semi-conducteur organique selon la présente invention est un élément semi-conducteur organique à grille inférieure, une couche de grille étant formée sur un substrat et une couche semi-conductrice organique, dans laquelle une zone de source/drain et une zone de canal sont formées, est agencée sur une couche isolante qui est formée sur la couche de grille. La pellicule isolante est formée sur la surface latérale et la surface supérieure de la couche de grille, et une zone de canal est formée sur au moins la surface latérale de la couche de grille.
(JA)本発明の有機半導体デバイスは、基板上にゲート層が設けられ、その上に設けられた絶縁層を介してソース/ドレイン領域とチャネル領域が形成される有機半導体層を有するボトムゲート型有機半導体素子であって、ゲート層の側面及び上面に絶縁膜が形成され、少なくともゲート層の側面にチャネル領域が形成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)