WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2013042665) 不揮発性半導体記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/042665    国際出願番号:    PCT/JP2012/073849
国際公開日: 28.03.2013 国際出願日: 18.09.2012
IPC:
G11C 16/04 (2006.01), G11C 16/02 (2006.01)
出願人: Floadia Corporation [JP/JP]; 29-9, Ogawahigashicho 1-chome, Kodaira-shi, Tokyo 1870031 (JP)
発明者: SHINAGAWA Yutaka; (JP).
KASAI Hideo; (JP).
TANIGUCHI Yasuhiro; (JP)
代理人: YOSHIDA Tadanori; 304 La Tour Shinjuku, 15-1, Nishi-shinjuku 6-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023 (JP)
優先権情報:
2011-205934 21.09.2011 JP
発明の名称: (EN) NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF MÉMOIRE SEMI-CONDUCTEUR NON VOLATIL
(JA) 不揮発性半導体記憶装置
要約: front page image
(EN)Proposed is a non-volatile semiconductor memory device in which it is possible to more freely set the voltage used when accumulating charge in a selected memory cell transistor than a conventional one. In the non-volatile semiconductor memory device (1), when accumulating charge in a selected memory cell transistor (115), a high write inhibit voltage is applied through a P-type MOS transistor (9b) and a low write voltage is applied through an N-type MOS transistor (15a). A function for applying a voltage to the selected memory cell transistor (115) or a non-selected memory cell transistor (116) is thereby shared by the separate P-type MOS transistor (9b) and N-type MOS transistor (15a). This makes it possible to separately adjust, for example, the gate and source voltages of each of the P-type and N-type MOS transistors (9b, 15a) and finally to set the gate-substrate voltage to, for example, 4 V or other value.
(FR)L'invention concerne un dispositif mémoire semi-conducteur non volatil dans lequel il est possible de définir plus librement la tension utilisée quand on accumule une charge dans un transistor de cellule mémoire sélectionné que dans un dispositif conventionnel. Dans le dispositif mémoire semi-conducteur non volatil (1), quand on accumule une charge dans un transistor de cellule mémoire (115) sélectionné, une tension d'inhibition d'écriture élevée est appliquée à travers un transistor MOS de type p (9b) et une tension d'écriture basse est appliquée à un transistor MOS de type n (15a). Une fonction permettant d'appliquer une tension au transistor de cellule mémoire (115) sélectionné ou à travers un transistor de cellule mémoire (116) non sélectionné est ainsi partagée par le transistor MOS de type p (9b) et le transistor MOS de type n (15a) séparés. Cela rend possible l'ajustement séparé, par exemple, des tensions de grille et de source de chacun des transistors MOS de type p et de type n (9b, 15a) et au bout du compte, la définition de la tension grille-substrat à, par exemple, 4 V ou une autre valeur.
(JA)選択メモリセルトランジスタに電荷を蓄積する際の電圧を従来よりも自由に設定し得る不揮発性半導体記憶装置を提案する。不揮発性半導体記憶装置(1)では、選択メモリセルトランジスタ(115)に電荷を蓄積させる際、電圧の高い書き込み禁止電圧をP型MOSトランジスタ(9b)から印加し、電圧の低い書き込み電圧をN型MOSトランジスタ(15a)から印加して、選択メモリセルトランジスタ(115)又は非選択メモリセルトランジスタ(116)へ電圧を印加する役割分担を、P型MOSトランジスタ(9b)及びN型MOSトランジスタ(15a)に分けたことで、P型MOSトランジスタ(9b)及びN型MOSトランジスタ(15a)それぞれのゲート電圧やソース電圧を個別に調整でき、最終的にゲート基板間電圧を例えば4[V]等に設定し得る。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)