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1. (WO2013042572) 電子部品用金属材料及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2013/042572 国際出願番号: PCT/JP2012/073095
国際公開日: 28.03.2013 国際出願日: 10.09.2012
IPC:
C25D 7/00 (2006.01) ,B32B 15/01 (2006.01) ,B32B 15/04 (2006.01) ,C22C 5/02 (2006.01) ,C22C 5/04 (2006.01) ,C22C 5/06 (2006.01) ,C22C 5/08 (2006.01) ,C22C 5/10 (2006.01) ,C22C 9/00 (2006.01) ,C22C 9/02 (2006.01) ,C22C 9/04 (2006.01) ,C22C 9/05 (2006.01) ,C22C 9/06 (2006.01) ,C22C 13/00 (2006.01) ,C22C 19/03 (2006.01) ,C22C 19/07 (2006.01) ,C22C 22/00 (2006.01) ,C22C 27/06 (2006.01) ,C22C 30/06 (2006.01) ,C22C 38/00 (2006.01) ,C23C 14/14 (2006.01) ,C25D 5/10 (2006.01) ,H01R 13/03 (2006.01) ,H05K 1/09 (2006.01)
出願人: SHIBUYA,Yoshitaka[JP/JP]; JP (UsOnly)
FUKAMACHI,Kazuhiko[JP/JP]; JP (UsOnly)
KODAMA,Atsushi[JP/JP]; JP (UsOnly)
JX Nippon Mining & Metals Corporation[JP/JP]; 6-3,Otemachi 2-chome,Chiyoda-ku, Tokyo 1008164, JP (AllExceptUS)
発明者: SHIBUYA,Yoshitaka; JP
FUKAMACHI,Kazuhiko; JP
KODAMA,Atsushi; JP
代理人: AXIS PATENT INTERNATIONAL; Shimbashi i-mark Bldg., 6-2 Shimbashi 2-Chome, Minato-ku, Tokyo 1050004, JP
優先権情報:
2011-20537120.09.2011JP
2012-03326517.02.2012JP
発明の名称: (EN) METAL MATERIAL FOR ELECTRONIC COMPONENTS AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) MATÉRIAU MÉTALLIQUE POUR COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 電子部品用金属材料及びその製造方法
要約: front page image
(EN) Provided are: a metal material for electronic components, which has low insertion/removal resistance, low occurrence of whiskers and high durability; and a method for producing the metal material for electronic components. A metal material (10) for electronic components, which is provided with: a base (11); a layer A (14) that constitutes the outermost layer of the base (11) and is formed of Sn, In or an alloy of these elements; and a layer B (13) that is arranged between the base (11) and the layer A (14) so as to constitute an intermediate layer and is formed of Ag, Au, Pt, Pd, Ru, Rh, Os, Ir or an alloy of these elements. The outermost layer (the layer A (14)) has a thickness of 0.002-0.2 μm, and the intermediate layer (the layer B (13)) has a thickness of 0.001-0.3 μm.
(FR) La présente invention concerne un matériau métallique pour des composants électroniques, présentant une faible résistance à l'insertion/au retrait, une faible survenue de barbes et une durabilité élevée, et un procédé de production du matériau métallique pour des composants électroniques. Un matériau métallique (10) pour composants électroniques est pourvu : d'une base (11) ; d'une couche A (14) constituant la couche la plus extérieure de la base (11) et composée de Sn, de In ou d'un alliage de ces éléments ; et d'une couche B (13) disposée entre la base (11) et la couche A (14) de manière à constituer une couche intermédiaire et est composée de Ag, Au, Pt, Pd, Ru, Rh, Os, Ir ou d'un alliage de ces éléments. La couche la plus extérieure (la couche A (14)) présente une épaisseur de 0,002-0.2 μm et la couche intermédiaire (la couche B (13)) présente une épaisseur de 0,001-0,3 μm.
(JA)  低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供する。基材11と、基材11の最表層を構成し、Sn,In,またはそれらの合金で形成されたA層14と、基材11とA層14との間に設けられて中層を構成し、Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os,Ir,またはそれらの合金で形成されたB層13と、を備え、最表層(A層)14の厚みが0.002~0.2μmであり、中層(B層)13の厚みが0.001~0.3μmである電子部品用金属材料10。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)