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1. (WO2013042526) 多接合型太陽電池、光電変換素子及び化合物半導体層・積層構造体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/042526    国際出願番号:    PCT/JP2012/072331
国際公開日: 28.03.2013 国際出願日: 03.09.2012
IPC:
H01L 31/0735 (2012.01), H01L 31/0725 (2012.01), H01L 31/0352 (2006.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUZHOU INSTITUTE OF NANO-TECH AND NANO-BIONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; Dushu Lake Higher Education Town, Ruoshui Road 398, Suzhou Industrial Park, Suzhou 215125 (CN) (米国を除く全ての指定国).
YOSHIDA Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IKEDA Masao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UCHIDA Shiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANGE Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KURAMOTO Masaru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ARIMOCHI Masayuki [JP/CN]; (CN) (米国のみ).
YANG Hui [CN/CN]; (CN) (米国のみ).
LU Shulong [CN/CN]; (CN) (米国のみ).
ZHENG Xinhe [CN/CN]; (CN) (米国のみ)
発明者: YOSHIDA Hiroshi; (JP).
IKEDA Masao; (JP).
UCHIDA Shiro; (JP).
TANGE Takashi; (JP).
KURAMOTO Masaru; (JP).
ARIMOCHI Masayuki; (CN).
YANG Hui; (CN).
LU Shulong; (CN).
ZHENG Xinhe; (CN)
代理人: TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
201110281329.6 21.09.2011 CN
発明の名称: (EN) MULTI-JUNCTION SOLAR CELL, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER/LAMINATION STRUCTURE
(FR) PILE SOLAIRE MULTIJONCTION, ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET STRUCTURE STRATIFIÉE/DE COUCHES À SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉS
(JA) 多接合型太陽電池、光電変換素子及び化合物半導体層・積層構造体
要約: front page image
(EN)Provided is a multi-junction solar cell which is provided with subcells matching a base thereof in terms of lattice and having a desired band gap. The multi-junction solar cell is formed by laminating a plurality of subcells (11, 12, 13, 14) wherein a first compound semiconductor layer and second compound semiconductor layer are laminated. At least one prescribed subcell (11) is constituted from a first layer (11A1, 11A2), in which a first-A layer (11AA) and first-B layer (11AB) are laminated, and a second layer (11C), in which a second-A layer (11CA) and second-B layer (11CB) are laminated. A composition-A for the first-A layer (11AA) and second-A layer (11CA) is determined on the basis of the band gap value for the prescribed subcell (11). A composition-B for the first-B layer (11AB) and second-B layer (11CB) is determined on the basis of a difference between the base/lattice constant for the base and the lattice constant for the composition-A. The thickness of the first-B layer (11AB) and second-B layer (11CB) are determined on the basis of the difference between the base/lattice constant and the lattice constant for the composition-B as well as the thickness of first-A layer (11AA) and the thickness of the second-A layer (11CA).
(FR)La présente invention concerne une pile solaire multijonction qui est dotée de sous-cellules correspondant à une base de celle-ci en termes de réseau et possédant une largeur de bande interdite souhaitée. La pile solaire multijonction est formée par la stratification d'une pluralité de sous-cellules (11, 12, 13, 14), une première couche à semi-conducteurs composés et une seconde couche à semi-conducteurs composés étant stratifiées. Au moins une sous-cellule prescrite (11) est constituée d'une première couche (11A1, 11A2), dans laquelle une première couche A (11AA) et une première couche B (11AB) sont stratifiées, et d'une seconde couche (11C), dans laquelle une seconde couche A (11CA) et une seconde couche B (11CB) sont stratifiées. Une composition A pour la première couche A (11AA) et une seconde couche A (11CA) est déterminée sur la base de la valeur de largeur de bande interdite pour la sous-cellule prescrite (11). Une composition B pour la première couche B (11AB) et la seconde couche B (11CB) est déterminée sur la base d'une différence entre la base/constante de réseau pour la base et la constante de réseau pour la composition A. L'épaisseur de la première couche B (11AB) et la seconde couche B (11CB) sont déterminées sur la base de la différence entre la base/constante de réseau et la constante de réseau pour la composition B ainsi que l'épaisseur de la première couche A (11AA) et l'épaisseur de la seconde couche A (11CA).
(JA) 下地と格子整合がとれており、所望のバンドギャップを有する副セルを備えた多接合型太陽電池を提供する。第1化合物半導体層と第2化合物半導体層が積層されて成る副セル11,12,13,14の複数が積層されて成り、少なくとも1つの所定の副セル11は、第1-A層11AAと第1-B層11ABとが積層された第1層11A1,11A2、及び、第2-A層11CAと第2-B層11CBとが積層された第2層11Cから構成され、所定の副セル11におけるバンドギャップの値に基づき第1-A層11AA及び第2-A層11CAの組成-Aが決定され、下地の下地・格子定数と組成-Aの格子定数との差に基づき第1-B層11AB及び第2-B層11CBの組成-Bが決定され、下地・格子定数と組成-Bの格子定数との差並びに第1-A層11AAの厚さ及び第2-A層11CAの厚さに基づき、第1-B層11AB及び第2-B層11CBの厚さが決定される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)