WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2013042497) プラズマエッチング方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2013/042497 国際出願番号: PCT/JP2012/070832
国際公開日: 28.03.2013 国際出願日: 16.08.2012
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
出願人: IKEMOTO, Naoya[JP/JP]; JP (UsOnly)
MURAKAMI, Shoichi[JP/JP]; JP (UsOnly)
SPP TECHNOLOGIES CO., LTD.[JP/JP]; Office Tower Y 8F, 8-11 Harumi 1-chome,Chuo-ku, Tokyo 1046108, JP (AllExceptUS)
発明者: IKEMOTO, Naoya; JP
MURAKAMI, Shoichi; JP
代理人: MURAKAMI, Satoshi; Dojima Building, 7th Floor, 6-8 Nishitemma 2-Chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047, JP
優先権情報:
2011-20711422.09.2011JP
発明の名称: (EN) PLASMA ETCHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE PAR PLASMA
(JA) プラズマエッチング方法
要約: front page image
(EN) The present invention relates to a plasma etching method capable of forming a taper-shaped recessed portion in a wide gap semiconductor substrate. In the plasma etching method, first, a mask (M) having an opening is formed on the surface of a wide gap semiconductor substrate (K). Then, the wide gap semiconductor substrate (K) having the mask (M) formed thereon is placed on a base, the wide gap semiconductor substrate (K) is heated at 200°C or more, and etching gas and protective film forming gas supplied into a process chamber are converted into plasma while a bias potential is applied to the base. Thereby the etching of the wide gap semiconductor substrate (K) with the etching gas converted into a plasma is performed in parallel with the forming of a protective film with the protective film forming gas converted into a plasma. Thus, the taper-shaped recessed portion is formed in the silicon carbide substrate (K) by driving the etching of the silicon carbide substrate (K) while protecting the same with the protective film.
(FR) La présente invention concerne un procédé de gravure par plasma capable de former une partie en creux de forme conique dans un substrat à semi-conducteur à large bande interdite. Dans le procédé de gravure par plasma, tout d'abord, un masque (M) comportant une ouverture est formé sur la surface d'un substrat semi-conducteur à large bande interdite (K). Ensuite, ledit substrat (K) comportant le masque (M) formé sur celui-ci est placé sur une base, il est chauffé à 200 °C ou plus, et un gaz de gravure et un gaz de formation de film protecteur introduits dans une chambre de traitement sont convertis en plasma pendant qu'un potentiel de polarisation est appliqué à la base. Ainsi, la gravure dudit substrat (K) avec le gaz de gravure converti en plasma est réalisée parallèlement à la formation d'un film protecteur avec le gaz de formation de film protecteur converti en plasma. Ainsi, la partie en creux de forme conique est formée dans le substrat en carbure de silicium (K) par la réalisation de la gravure du substrat de carbure de silicium (K) simultanément à la protection de celui-ci avec le film protecteur.
(JA)  本発明は、ワイドギャップ半導体基板にテーパ状の凹部を形成することができるプラズマエッチング方法に関する。このプラズマエッチング方法は、まず、ワイドギャップ半導体基板Kの表面に開口部を有したマスクMを形成する。そして、マスクMが形成されたワイドギャップ半導体基板Kを基台に載置し、当該ワイドギャップ半導体基板Kを200℃以上に加熱した後、処理チャンバ内に供給されたエッチングガス及び保護膜形成ガスをプラズマ化するとともに、基台にバイアス電位を与え、プラズマ化されたエッチングガスによるワイドギャップ半導体基板Kのエッチングと、プラズマ化された保護膜形成ガスによる保護膜の形成とを並行して行い、保護膜によって保護しつつ、炭化ケイ素基板Kのエッチングを進行させ、炭化ケイ素基板Kにテーパ状の凹部を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)