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1. (WO2013042491) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/042491    国際出願番号:    PCT/JP2012/070661
国際公開日: 28.03.2013 国際出願日: 14.08.2012
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HARA Kenichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAYAKAWA Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OZAWA Mariko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HARA Kenichi; (JP).
HAYAKAWA Takashi; (JP).
OZAWA Mariko; (JP)
代理人: TAKAYAMA Hiroshi; Daisan Inoue Bldg. 3F, 5-8-1, Futago, Takatsu-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2130002 (JP)
優先権情報:
2011-205555 21.09.2011 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device manufacturing method comprises: a step of preparing a structure whereupon a copper film is formed such that a trench part is filled therewith via a barrier film upon an inter-layer insulation film having a trench upon a substrate; a step of removing the copper film of the structure to the barrier film interface with chemical mechanical polishing and forming copper wiring within the trench part; a step of etching the copper wiring and moving back the surface thereof further than the inter-layer insulation film surface; and a step of removing the barrier film by the chemical mechanical polishing. When moving back the surface of the copper wiring further than the inter-layer insulation film surface, the structure is positioned in a vacuum state organic compound atmosphere, an oxygen gas cluster ion beam is projected on a face including the copper wiring surface of the structure. With the oxygen gas cluster ions therein, the copper on the surface of the copper wiring is oxidized, forming copper oxide, and the copper oxide reacts with the organic compound, anisotropically etching the copper wiring.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur qui comprend : une étape de préparation d'une structure sur laquelle un film de cuivre est formé de telle sorte qu'une partie de tranchée est remplie de celui-ci par l'intermédiaire d'un film de barrière sur un film d'isolation intercouche ayant une tranchée sur un substrat ; une étape de retrait du film de cuivre de la structure à l'interface de film de barrière avec un polissage chimico-mécanique et de formation d'un câblage de cuivre dans la partie de tranchée ; une étape de gravure du câblage de cuivre et de renvoi de la surface de celui-ci plus loin que la surface de film d'isolation intercouche ; et une étape de retrait du film de barrière par le polissage chimico-mécanique. Lors du renvoi de la surface du câblage de cuivre plus loin que la surface de film d'isolation intercouche, la structure est positionnée dans une atmosphère de composé organique à l'état sous vide, un faisceau d'ions de groupe de gaz d'oxygène est projeté sur une face comprenant la surface de câblage de cuivre de la structure. Ayant les ions de groupe de gaz d'oxygène dans celui-ci, le cuivre sur la surface du câblage de cuivre est oxydé, formant de l'oxyde de cuivre, et l'oxyde de cuivre réagit avec le composant organique, gravant de manière anisotrope le câblage de cuivre.
(JA) 基板上の凹部を有する層間絶縁膜上にバリア膜を介して凹部を埋めるように銅膜を形成した構造体を準備する工程と、構造体の銅膜をバリア膜との界面まで化学機械研磨により除去し、凹部内に銅配線を形成する工程と、銅配線をエッチングしてその表面を層間絶縁膜表面よりも後退させる工程と、バリア膜を化学機械研磨により除去する工程とを有し、銅配線の表面を層間絶縁膜表面よりも後退させる際に、構造体を真空状態の有機化合物雰囲気に配置し、構造体の銅配線表面を含む面に酸素ガスクラスターイオンビームを照射し、その中の酸素ガスクラスターイオンにより、銅配線の表面の銅を酸化させて酸化銅とするとともに、酸化銅と有機化合物を反応させて銅配線を異方的にエッチングする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)