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1. (WO2013042444) 固体撮像素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/042444    国際出願番号:    PCT/JP2012/067844
国際公開日: 28.03.2013 国際出願日: 12.07.2012
IPC:
H01L 27/14 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 101/00 (2006.01)
出願人: FUJIFILM Corporation [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1060031 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MITSUI Tetsuro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUGIYAMA Takuro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MITSUI Tetsuro; (JP).
SUGIYAMA Takuro; (JP)
代理人: WATANABE Mochitoshi; Yusen Iwamoto-cho Bldg. 6F., 3-3, Iwamoto-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010032 (JP)
優先権情報:
2011-206125 21.09.2011 JP
2012-155912 11.07.2012 JP
発明の名称: (EN) SOLID STATE IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像素子
要約: front page image
(EN)This solid state imaging element has, formed on a substrate having a signal reading circuit, a lower electrode which forms a pixel electrode, an organic photoelectric conversion film that is formed on the lower electrode and produces a charge according to light that is received, and an upper transparent electrode. In the organic photoelectric conversion film, with respect to a region on the organic photoelectric conversion film that corresponds to a pixel electrode region in which the lower electrode is formed, a transition region in which either or both of the film thickness and film quality make a transition is a region 200 µm or less from the outer end of the organic photoelectric conversion film.
(FR)La présente invention concerne un élément d'imagerie à semi-conducteur qui possède, formés sur un substrat comportant un circuit de lecture de signaux, une électrode inférieure qui forme une électrode de pixel, un film organique de conversion photoélectrique qui est formé sur l'électrode inférieure et produit une charge en fonction d'une lumière qui est reçue, et une électrode transparente supérieure. Dans le film organique de conversion photoélectrique, par rapport à une région sur celui-ci qui correspond à une région d'électrode de pixel dans laquelle est formée l'électrode inférieure, une région de transition dans laquelle l'épaisseur du film et/ou la qualité du film forment une transition est une région à 200 µm ou moins de l'extrémité externe du film organique de conversion photoélectrique.
(JA) 信号読出し回路を有する基板に、画素電極となる下部電極と、下部電極上に形成され、受光した光に応じて電荷を生成する有機光電変換膜と、上部透明電極とが形成された固体撮像素子である。有機光電変換膜において、下部電極が形成された画素電極領域に対応する有機光電変換膜の領域に対して、膜厚および膜質の少なくとも一方が遷移している遷移領域は、有機光電変換膜の外端から200μm以下の領域である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)