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1. (WO2013042423) Zn-Si-O系酸化物焼結体とその製造方法および透明導電膜
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/042423    国際出願番号:    PCT/JP2012/066963
国際公開日: 28.03.2013 国際出願日: 03.07.2012
IPC:
C04B 35/453 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 14/24 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01B 5/14 (2006.01)
出願人: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD [JP/JP]; 5-11-3, Shimbashi, Minato-ku, Tokyo 1058716 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMANOBE, Yasunori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SOGABE, Kentaro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OZAWA, Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMANOBE, Yasunori; (JP).
SOGABE, Kentaro; (JP).
OZAWA, Makoto; (JP)
代理人: UEDA, Shozo; Room 901, 25-Sankyo Bldg., 1-48-10, Higashi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
2011-207198 22.09.2011 JP
発明の名称: (EN) Zn-Si-O SYSTEM OXIDE SINTERED BODY, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
(FR) CORPS FRITTÉ OXYDIQUE DU SYSTÈME Zn-Si-O, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
(JA) Zn-Si-O系酸化物焼結体とその製造方法および透明導電膜
要約: front page image
(EN)[Problem] To provide: a Zn-Si-O system oxide sintered body which suppresses abnormal electrical discharge and the like in cases where the Zn-Si-O system oxide sintered body is used for a sputtering target, or suppresses splash phenomenon in cases where the Zn-Si-O system oxide sintered body is used for a tablet for vapor deposition; and a method for producing the Zn-Si-O system oxide sintered body. [Solution] A Zn-Si-O system oxide sintered body which is mainly composed of zinc oxide, while containing Si, and which is characterized in that: Si is contained at an Si/(Zn + Si) atomic ratio of 0.1-10% by atom; the Si element is solid-solved in a wurtzite zinc oxide phase; and the sintered body does not contain spinel complex oxide phases that are an SiO2 phase and zinc silicate (Zn2SiO4). A method for producing the sintered body is characterized by comprising, during a process wherein a granulated powder obtained from starting material powders, namely a ZnO powder and an SiO2 powder, is molded and the thus-obtained molded body is fired so as to produce the sintered body: a step wherein the molded body is heated at a heating rate of 5˚C/minute or more over the temperature range from 700˚C to 900˚C; and a step wherein the molded body is fired at 900-1,400˚C within a firing furnace.
(FR)L'invention concerne : un corps fritté oxydique du système Zn-Si-O qui supprime un déchargement électrique anormal et analogue lorsque le corps fritté oxydique du système Zn-Si-O est utilisé pour une cible de pulvérisation, ou qui supprime un phénomène de projection lorsque le corps fritté oxydique du système Zn-Si-O est utilisé pour une tablette pour dépôt en phase vapeur; et un procédé de préparation du corps fritté oxydique du système Zn-Si-O. L'invention concerne un corps fritté oxydique du système Zn-Si-O qui est principalement composé d'oxyde de zinc, tout en contenant du Si, et qui est caractérisé en ce que : le Si est contenu en un rapport atomique Si/(Zn + Si) de 0,1 à 10 % atomique; l'élément Si est en solution solide dans une phase d'oxyde de zinc wurtzite; et le corps fritté ne contient pas de phases d'oxydes complexes spinelles qui consistent en une phase SiO2 et du silicate de zinc (Zn2SiO4). Un procédé de préparation du corps fritté est caractérisé en ce qu'il comprend, pendant un procédé selon lequel une poudre granulée obtenue à partir de poudres de matériaux de départ, à savoir une poudre de ZnO et une poudre de SiO2, est moulée et le corps moulé ainsi obtenu est traité thermiquement afin de produire le corps fritté : une étape lors de laquelle le corps moulé est chauffé à un taux de chauffe de 5 °C/min ou plus dans la plage de température allant de 700 °C à 900 °C; et une étape lors de laquelle le corps moulé est traité thermiquement à une température de 900 à 1 400 °C dans un four de traitement thermique.
(JA)【課題】スパッタリングターゲットに利用された場合には異常放電等が抑制され、蒸着用タブレットに利用された場合にはスプラッシュ現象が抑制されるZn-Si-O系酸化物焼結体とその製法等を提供する。 【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、Siを含有するZn-Si-O系酸化物焼結体であって、Siの含有量が、Si/(Zn + Si)原子数比で0.1~10原子%であり、Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、SiO2相および珪酸亜鉛(Zn2SiO4)であるスピネル型複合酸化物相を含有していないことを特徴とする。上記焼結体の製法は、原料粉末であるZnO粉末とSiO粉末から得られた造粒粉を成形し、その成形体を焼成して上記焼結体を製造する際、700~900℃の温度域を昇温速度5℃/分以上の速さで昇温させる工程と、成形体を焼成炉内において900℃~1400℃で焼成する工程を有することを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)