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1. (WO2013042381) 複合基板の製造方法および複合基板
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/042381    国際出願番号:    PCT/JP2012/006027
国際公開日: 28.03.2013 国際出願日: 21.09.2012
IPC:
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 27/095 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (米国を除く全ての指定国).
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKADA, Tomoyuki [JP/JP]; (JP) (US only).
YAMADA, Hisashi [JP/JP]; (JP) (US only).
HATA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (US only).
MAEDA, Tatsuro [JP/JP]; (JP) (US only).
ITATANI, Taro [JP/JP]; (JP) (US only).
YASUDA, Tetsuji [JP/JP]; (JP) (US only)
発明者: TAKADA, Tomoyuki; (JP).
YAMADA, Hisashi; (JP).
HATA, Masahiko; (JP).
MAEDA, Tatsuro; (JP).
ITATANI, Taro; (JP).
YASUDA, Tetsuji; (JP)
代理人: RYUKA IP Law Firm; 22F, Shinjuku L Tower, 6-1, Nishi-Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522 (JP)
優先権情報:
2011-208224 22.09.2011 JP
2011-208225 22.09.2011 JP
2012-126621 01.06.2012 JP
2012-126622 01.06.2012 JP
発明の名称: (EN) COMPOUND SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND COMPOUND SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT COMPOSÉ, ET SUBSTRAT COMPOSÉ
(JA) 複合基板の製造方法および複合基板
要約: front page image
(EN)Provided is a compound substrate manufacturing method, wherein: a sacrificial layer and a semiconductor crystal layer are formed in this order upon a semiconductor crystal layer forming substrate; the semiconductor crystal layer forming substrate and a transfer destination substrate are bonded such that a first surface of the semiconductor crystal layer forming substrate and a second surface of the transfer destination substrate which contacts the first surface face one another; the semiconductor crystal layer forming substrate and the transfer destination substrate are immersed, wholly or in part, in etching fluid, and the sacrificial layer etched; and the transfer destination substrate and the semiconductor crystal layer forming substrate are separated in a state in which the semiconductor crystal layer is left on the transfer destination substrate side. The transfer destination substrate comprises an inflexible substrate and an organic layer. The surface of the organic layer is the second surface.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de fabrication de substrat composé, lequel procédé comprend les étapes suivantes : une couche sacrificielle et une couche de cristal semi-conductrice sont formées dans cet ordre sur un substrat de formation de couche de cristal semi-conductrice ; le substrat de formation de couche de cristal semi-conductrice et un substrat de destination de transfert sont collés de sorte qu'une première surface du substrat de formation de couche de cristal semi-conductrice et une seconde surface du substrat de destination de transfert qui entre en contacts avec la première surface soient en face l'une de l'autre ; le substrat de formation de couche de cristal semi-conductrice et le substrat de destination de transfert sont immergés, entièrement ou en partie, dans un fluide de gravure, et la couche sacrificielle est gravée ; et le substrat de destination de transfert ainsi que le substrat de formation de couche de cristal semi-conductrice sont séparés de manière à ce que la couche de cristal semi-conductrice reste du côté du substrat de destination de transfert. Le substrat de destination de transfert comprend un substrat inflexible et une couche organique. La surface de la couche organique est la seconde surface.
(JA) 半導体結晶層形成基板の上に犠牲層および半導体結晶層を順に形成し、半導体結晶層形成基板の第1表面と、第1表面に接することとなる転写先基板の第2表面と、が向かい合うように、半導体結晶層形成基板と転写先基板とを貼り合わせ、半導体結晶層形成基板および転写先基板の全部または一部をエッチング液に浸漬して犠牲層をエッチングし、半導体結晶層を転写先基板側に残した状態で、転写先基板と半導体結晶層形成基板とを分離する。ここで、転写先基板が、非可撓性基板と有機物層とを有し、有機物層の表面が、第2表面であるものとする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)