WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2013042355) 薄膜形成方法および薄膜形成装置ならびに被膜を形成した被処理物、金型および工具
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/042355    国際出願番号:    PCT/JP2012/005957
国際公開日: 28.03.2013 国際出願日: 20.09.2012
予備審査請求日:    12.07.2013    
IPC:
C23C 14/35 (2006.01), C23C 16/27 (2006.01)
出願人: SHIBAURA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 7-5, Toyosu 3-chome, Koto-ku, Tokyo 1358548 (JP) (米国を除く全ての指定国).
AIZAWA, Tatsuhiko [JP/JP]; (JP) (US only).
MORITA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US only).
KUROSUMI, Shuichi [JP/JP]; (JP) (US only)
発明者: AIZAWA, Tatsuhiko; (JP).
MORITA, Hiroshi; (JP).
KUROSUMI, Shuichi; (JP)
代理人: OMORI, Junichi; 2nd Floor U&M Akasaka Bldg., 7-5-47 Akasaka, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2011-208140 22.09.2011 JP
発明の名称: (EN) THIN-FILM FORMATION METHOD, THIN-FILM FORMATION DEVICE, OBJECT TO BE TREATED HAVING COATING FILM FORMED THEREON, DIE AND TOOL
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM MINCE ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM MINCE, OBJET DEVANT ÊTRE TRAITÉ SUR LEQUEL UN FILM DE REVÊTEMENT A ÉTÉ FORMÉ AINSI QUE MOULE ET OUTIL ASSOCIÉS
(JA) 薄膜形成方法および薄膜形成装置ならびに被膜を形成した被処理物、金型および工具
要約: front page image
(EN)[Problem] To provide a means for forming a thin-film in a desired part of an object to be treated. [Solution] The thin-film formation means according to the present invention is part of a thin-film formation method which supplies electricity to a raw-material gas in a reduced pressure container, converting the raw-material gas to plasma, and irradiates the plasma, thus forming a thin-film on the surface of an object to be treated. Therein, the effect of a magnetic field generated by a magnetic field generating means is used to form the thin-film in a desired part. The effect of the magnetic field focuses the flux of the plasma in a desired part of the surface of the object to be treated, thus enabling the thin-film to be formed in the desired part.
(FR)L'objectif de l'invention est de permettre la formation d'un film mince sur une partie voulue d'un objet à traiter. Plus spécifiquement, l'invention concerne un moyen de formation de film mince mis en oeuvre dans un procédé de formation de film mince qui consiste à amener de l'électricité à un gaz matière première situé dans un contenant sous pression réduite, à transformer ce gaz matière première en plasma puis à irradier le plasma afin de former un film mince sur la surface d'un objet à traiter. Un moyen de génération de champ magnétique est utilisé pour former le film mince sur une partie voulue. Le champ magnétique permet de concentrer le flux de gaz sur une partie voulue de l'objet à traiter et ainsi, un film mince peut être formé sur la partie voulue.
(JA)【課題】被処理物の所望部位に薄膜形成する手段を提供する。 【解決手段】本発明に係る薄膜形成手段は、減圧容器内において、原料ガスに電力を供給して前記原料ガスをプラズマ化し、前記プラズマを照射して被処理物表面上に薄膜形成する薄膜形成方法である。ここで、薄膜を所望部位に形成するために磁界発生手段が発生する磁界の作用を利用する。磁界の作用は、前記プラズマのフラックスを前記被処理物表面の所望部位に収束させ、これによって所望部位に薄膜を形成することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)