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1. (WO2013039251) スパッタリングターゲットおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/039251    国際出願番号:    PCT/JP2012/073961
国際公開日: 21.03.2013 国際出願日: 11.09.2012
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C04B 35/00 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP) (米国を除く全ての指定国).
UMEMOTO, Keita [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ZHANG, Shoubin [CN/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: UMEMOTO, Keita; (JP).
ZHANG, Shoubin; (JP)
代理人: TAKAOKA, Ryoichi; Takaoka IP Law Office, Ikebukuro Tosei Building, 5th Floor, 5-4-7, Nishi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 1710021 (JP)
優先権情報:
2011-201329 15.09.2011 JP
2012-195715 06.09.2012 JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) スパッタリングターゲットおよびその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a sputtering target having high electrical conductivity and capable of forming a WOx film by DC sputtering. Also provided is a method for producing the sputtering target. This sputtering target is a sintered body of tungsten oxide having a structure comprising at least two phases including a WO2 phase and a W18O49 phase, wherein the percentage of the WO2 phase in the structure is 5% or higher. The method for producing said sputtering target involves a step of preparing a tungsten oxide powder containing WO2 and at least one of W18O49 and WO3, and a step of sintering the tungsten oxide powder in a vacuum by hot pressing to produce a sintered body of tungsten oxide, wherein the content of said WO2 in said tungsten oxide powder is 5-95 mol%.
(FR)La présente invention concerne une cible de pulvérisation ayant une forte conductibilité électrique et pouvant former un film en WOx par pulvérisation en CC. La présente invention concerne également un procédé de production de la cible de pulvérisation. Une telle cible de pulvérisation est un corps fritté en oxyde de tungstène ayant une structure comportant au moins deux phases, à savoir une phase WO2 et une phase W18O49. Dans la structure, le pourcentage de la phase WO2 est supérieur ou égal à 5 %. Le procédé de production de ladite cible de pulvérisation comprend une étape consistant à préparer une poudre d'oxyde de tungstène contenant du WO2 ainsi que du W18O49 et/ou du WO3 et une étape consistant à fritter sous vide la poudre d'oxyde de tungstène, par pressage à chaud, de façon à produire un corps fritté en oxyde de tungstène. La teneur en WO2 de ladite poudre d'oxyde de tungstène est comprise entre 5 et 95 % en mole.
(JA)高い導電性を有し、WO膜をDCスパッタにより成膜可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。スパッタリングターゲットが、WO相とW1849相との2相以上からなる組織を有した酸化タングステンの焼結体であり、WO相の組織中の割合が、5%以上である。このスパッタリングターゲットの製造方法は、WOと、W1849及びWOの少なくとも一方とを含有した酸化タングステン粉を作製する工程と、該酸化タングステン粉を真空中でホットプレスにて焼結し、酸化タングステンの焼結体とする工程とを有し、前記酸化タングステン粉中の前記WOの含有量を、5~95mol%とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)