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1. (WO2013039101) 太陽電池の製造方法および太陽電池
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/039101    国際出願番号:    PCT/JP2012/073319
国際公開日: 21.03.2013 国際出願日: 12.09.2012
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAHASHI, Yu; (米国のみ).
SHIMADA, Junya; (米国のみ)
発明者: TAKAHASHI, Yu; .
SHIMADA, Junya;
代理人: Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2011-201779 15.09.2011 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL, AND SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UNE CELLULE SOLAIRE, ET CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池の製造方法および太陽電池
要約: front page image
(EN)Provided is a method for producing a solar cell, the method involving, in the following order, a first step for dispersing impurities of a first conductive type to a region to function as a high-concentration first conductivity-type semiconductor region and a region to function as a low-concentration second conductivity-type semiconductor region, and a second step for dispersing impurities of a second conductivity type to a region to function as a high-concentration second conductivity-type semiconductor region and the region to function as the low-concentration second conductivity-type semiconductor region, wherein, in the low-concentration second conductivity-type semiconductor region, the impurities of a second conductivity type is predominantly dispersed relative to the impurities of a first conductivity type. Also provided is a solar cell produced by means of the aforementioned production method.
(FR)La présente invention a trait à un procédé permettant de produire une cellule solaire, lequel procédé comprend, dans l'ordre suivant, une première étape permettant de disperser des impuretés d'un premier type de conductivité sur une région devant tenir lieu de première région semi-conductrice de premier type de conductivité à haute concentration et une région devant tenir lieu de région semi-conductrice de second type de conductivité à faible concentration, et une seconde étape permettant de disperser des impuretés d'un second type de conductivité sur une région devant tenir lieu de région semi-conductrice de second type de conductivité à haute concentration et la région devant tenir lieu de région semi-conductrice de second type de conductivité à faible concentration. Dans la région semi-conductrice de second type de conductivité à faible concentration, les impuretés d'un second type de conductivité sont dispersées de façon prédominante par rapport aux impuretés d'un premier type de conductivité. La présente invention a également trait à une cellule solaire qui est produite au moyen dudit procédé de production.
(JA) 高濃度第1導電型半導体領域となる領域及び低濃度第2導電型半導体領域となる領域に、第1導電型の不純物を拡散させる第1工程と、高濃度第2導電型半導体領域となる領域及び低濃度第2導電型半導体領域となる領域に、第2導電型の不純物を拡散させる第2工程を、この順に有し、低濃度第2導電型半導体領域は、第2導電型の不純物が第1導電型の不純物より優位であるように拡散されている太陽電池の製造方法およびその製造方法により製造された太陽電池が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)