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1. (WO2013039099) 半導体装置の製造方法およびその製造方法を用いて製造した半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/039099    国際出願番号:    PCT/JP2012/073317
国際公開日: 21.03.2013 国際出願日: 12.09.2012
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), B23K 26/20 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIYASAKA, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAMAI, Yuta [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIYASAKA, Toshiyuki; (JP).
TAMAI, Yuta; (JP)
代理人: HATTORI, Kiyoshi; HATTORI PATENT OFFICE, Hachioji Azumacho Center Building, 9-8, Azuma-cho, Hachioji-shi, Tokyo 1920082 (JP)
優先権情報:
2011-201962 15.09.2011 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED USING PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR PRODUIT À L'AIDE DU PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 半導体装置の製造方法およびその製造方法を用いて製造した半導体装置
要約: front page image
(EN)A method for producing a semiconductor device affording higher per-spot joint strength of upper and lower terminals, greater spacing between upper and lower terminals during laser welding, improved ease of assembly, and reduced production cost is provided, as is a semiconductor device produced by the production method. During laser welding of the upper side terminal (12) and the lower side terminal (10), spacing (L) of 20 µm-400 µm inclusive is furnished between the upper side terminal (12) and the lower side terminal (10), whereby the per-spot joint strength can be increased, the ease of assembly can be improved, and production cost can be reduced.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de production de dispositif semi-conducteur permettant une résistance de joint par point supérieure de bornes supérieure et inférieure, un plus grand espacement entre les bornes supérieure et inférieure durant un soudage laser, une facilité améliorée d'assemblage et un coût de production réduit, ainsi que sur un dispositif semi-conducteur produit par le procédé de production. Durant le soudage laser de la borne latérale supérieure (12) et de la borne latérale inférieure (10), un espacement (L) de 20 µm-400 µm inclus est prévu entre la borne latérale supérieure (12) et la borne latérale inférieure (10), ce par quoi la résistance de joint par point peut être améliorée, la facilité d'assemblage peut être améliorée et le coût de production peut être réduit.
(JA) 上下端子の1点あたりの接合強度を高くでき、レーザ溶接時の上下端子間の隙間を大きくでき、組立性が向上し、製造コストが低減できる半導体装置の製造方法およびその製造方法を用いた半導体装置を提供する。 上側端子(12)と下側端子(10)をレーザ溶接する際に、上側端子(12)と下側端子(10)に20μm以上で400μm以下の隙間(L)を設けることで1点あたりのレーザ接合強度を高め、組立性が向上でき、製造コストの低減を図ることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)