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1. (WO2013039003) 発光ダイオード素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/039003    国際出願番号:    PCT/JP2012/072922
国際公開日: 21.03.2013 国際出願日: 07.09.2012
IPC:
H01L 33/32 (2010.01)
出願人: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008251 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HARUTA, Yuki; (米国のみ)
発明者: HARUTA, Yuki;
代理人: KAWAGUCHI, Yoshiyuki; Acropolis 21 Building 6th floor, 4-10, Higashi Nihonbashi 3-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030004 (JP)
優先権情報:
2011-198118 12.09.2011 JP
2011-211577 27.09.2011 JP
2011-223416 07.10.2011 JP
発明の名称: (EN) LIGHT-EMITTING DIODE ELEMENT
(FR) ELÉMENT DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(JA) 発光ダイオード素子
要約: front page image
(EN)The objective is to provide a GaN light-emitting diode element that has superior light emitting efficiency and is suitable as a light excitation source in a white LED. A GaN light-emitting diode element (100) has an n-type conductive m-plane GaN substrate (110), a light-emitting diode structure (120) that is formed with a GaN semiconductor on the surface of the m-plane GaN substrate, and an n-side ohmic electrode (E100) formed on the back surface of the m-plane GaN substrate. The forward voltage is no more than 4.0 V when the forward current applied to the light-emitting diode element is 20 mA.
(FR)La présente invention vise à fournir un élément de diode électroluminescente (DEL) GaN qui a un rendement d'émission de lumière supérieur et est approprié en tant que source d'excitation de lumière dans une DEL blanche. Un élément de diode électroluminescente GaN (100) a un substrat de GaN de plan m conducteur de type n (110), une structure de diode électroluminescente (120) qui est formée avec un semi-conducteur de GaN sur la surface du substrat de GaN de plan m, et une électrode ohmique de côté n (E100) formée sur la surface arrière du substrat de GaN de plan m. La tension directe n'est pas supérieure à 4,0 V lorsque le courant directe appliqué à l'élément de diode électroluminescente est de 20 mA.
(JA)発光効率に優れ、白色LED用の励起光源に適したGaN系発光ダイオード素子を提供することを目的とする。GaN系発光ダイオード素子(100)は、n型導電性のm面GaN基板(110)と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造(120)と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極(E100)とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が20mAのときの順方向電圧が4.0V以下である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)