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1. (WO2013038983) 高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/038983    国際出願番号:    PCT/JP2012/072726
国際公開日: 21.03.2013 国際出願日: 06.09.2012
予備審査請求日:    04.01.2013    
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C22C 9/05 (2006.01), C22F 1/08 (2006.01), C22F 1/00 (2006.01)
出願人: JX Nippon Mining & Metals Corporation [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAGATA Kenichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OTSUKI Tomio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OKABE Takeo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MAKINO Nobuhito [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUKUSHIMA Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAGATA Kenichi; (JP).
OTSUKI Tomio; (JP).
OKABE Takeo; (JP).
MAKINO Nobuhito; (JP).
FUKUSHIMA Atsushi; (JP)
代理人: OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, HATSUMEIKAIKAN 5F, 9-14, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2011-200905 14.09.2011 JP
発明の名称: (EN) HIGH-PURITY COPPER-MANGANESE-ALLOY SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION D'UN ALLIAGE CUIVRE-MANGANÈSE D'UNE GRANDE PURETÉ
(JA) 高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット
要約: front page image
(EN)[Abstract] A high-purity copper-manganese-alloy sputtering target containing 0.05-20 wt% of Mn, with Cu and inevitable impurities constituting the balance, wherein the high-purity copper-manganese-alloy sputtering target is characterized in that the in-plane variation (CV value) in the Mn concentration in the target is 3% or less. It is thus possible to form a thin film having exceptional uniformity by adding a suitable amount of elemental Mn to the copper, and reducing the in-plane variation of the sputtering target. In particular, there is provided a high-purity copper-manganese-alloy sputtering target that is useful for improving the yield and reliability of a semiconductor product having a high degree of refinement and integration.
(FR)La présente invention concerne une cible de pulvérisation d'un alliage cuivre-manganèse d'une grande pureté contenant de 0,05 à 20 % en poids de Mn, du Cu, et le reste étant constitué des inévitables impuretés. La cible de pulvérisation d'un alliage cuivre-manganèse d'une grande pureté est caractérisée en ce que la variation dans le plan (valeur CV) de la concentration en Mn dans la cible est inférieure ou égale à 3 %. Il est donc possible de former un film mince d'une exceptionnelle uniformité en ajoutant au cuivre une quantité appropriée de Mn élémentaire et en réduisant la variation dans le plan de la cible de pulvérisation. La présente invention concerne en particulier une cible de pulvérisation d'un alliage cuivre-manganèse d'une grande pureté qui peut servir à améliorer le rendement et la fiabilité d'un produit semi-conducteur présentant un haut degré de raffinage et d'intégration.
(JA)Mn0.05~20wt%を含有し、残部がCu及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットであって、当該ターゲットにおけるMn濃度の面内バラツキ(CV値)が3%以下であることを特徴とする高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット。このように、銅に適切な量のMn元素を添加すると共に、スパッタリングターゲットの面内バラツキを少なくすることにより、均一性(ユニフォーミティ)に優れた薄膜を形成することができる。特に、微細化・高集積化が進む半導体製品の歩留まりや信頼性を向上するために有用な、高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットを提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)