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1. (WO2013038921) 半導体レーザ装置および光装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/038921    国際出願番号:    PCT/JP2012/072059
国際公開日: 21.03.2013 国際出願日: 30.08.2012
IPC:
H01S 5/022 (2006.01)
出願人: SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 5-5, Keihan Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HATA, Masayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOSHIKAWA, Hideki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HATA, Masayuki; (JP).
YOSHIKAWA, Hideki; (JP)
代理人: MIYAZONO, Hirokazu; Shin-Osaka MT Building I, 13-9, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2011-200798 14.09.2011 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND OPTICAL DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF OPTIQUE
(JA) 半導体レーザ装置および光装置
要約: front page image
(EN)This semiconductor laser device is provided with: a base on which first to fourth electrodes that respectively have first to fourth wire bonding portions on respective upper surfaces are arranged; first to third semiconductor laser elements; and a light receiving element. The first wire bonding portion is arranged closer to the fourth direction than the first semiconductor element and closer to the first direction than the light receiving element. The second wire bonding portion is arranged closer to the third direction than the first semiconductor laser element. The third wire bonding portion is arranged closer to the second direction than the third semiconductor element and closer to the first direction than the light receiving element. The fourth wire bonding portion is arranged closer to the third direction than the third semiconductor laser element.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif laser à semi-conducteur qui comporte : une base sur laquelle des première à quatrième électrodes, qui ont respectivement des première à quatrième parties de liaison filaire sur des surfaces supérieures respectives, sont agencées ; des premier à troisième éléments laser à semi-conducteurs ; et un élément de réception de lumière. La première partie de liaison filaire est agencée plus près de la quatrième direction que le premier élément semi-conducteur et plus près de la première direction que l'élément de réception de lumière. La deuxième partie de liaison filaire est agencée plus près de la troisième direction que le premier élément laser à semi-conducteur. La troisième partie de liaison filaire est agencée plus près de la deuxième direction que le troisième élément semi-conducteur et plus près de la première direction que le premier élément de réception de lumière. La quatrième partie de liaison filaire est agencée plus près de la troisième direction que le troisième élément laser à semi-conducteur.
(JA) この半導体レーザ装置は、上面上に第1~第4ワイヤボンド部をそれぞれ有する第1~第4電極が配置された基台と、第1~第3半導体レーザ素子および受光素子とを備える。第1ワイヤボンド部は、前記第1半導体レーザ素子より前記第4方向側、かつ、前記受光素子より前記第1方向側に配置され、前記第2ワイヤボンド部は、前記第1半導体レーザ素子より前記第3方向側に配置される。前記第3ワイヤボンド部は、前記第3半導体レーザ素子より前記第2方向側、かつ、前記受光素子より前記第1方向側に配置され、前記第4ワイヤボンド部は、前記第3半導体レーザ素子より前記第3方向側に配置される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)