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1. (WO2013038862) 炭化珪素半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/038862    国際出願番号:    PCT/JP2012/070681
国際公開日: 21.03.2013 国際出願日: 14.08.2012
IPC:
H01L 29/12 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HIYOSHI, Toru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MASUDA, Takeyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WADA, Keiji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HIYOSHI, Toru; (JP).
MASUDA, Takeyoshi; (JP).
WADA, Keiji; (JP)
代理人: Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2011-200305 14.09.2011 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A mask layer (17) is formed by deposition on a silicon carbide layer. The mask layer (17) is patterned. The silicon carbide layer is partially removed by etching using the patterned mask layer (17) as a mask, whereby a gate groove (6) having a side wall (20) is formed. A gate-insulating film is formed on the side wall (20) of the gate groove (6). A gate electrode is formed on the gate-insulating film. The silicon carbide layer has either a hexagonal or cubic crystal form. When the silicon carbide layer has a hexagonal crystal form, the side wall of the gate groove substantially includes either a {0-33-8} surface or a {01-1-4} surface, and when the silicon carbide layer has a cubic crystal form, the side wall of the gate groove substantially includes a {100} surface.
(FR)Selon la présente invention, une couche de masque (17) est formée par dépôt d'une couche de carbure de silicium. On réalise un motif de la couche de masque (17). La couche de carbure de silicium est partiellement retirée par gravure à l'aide de la couche de masque à motif (17) en tant que masque, ce par quoi un sillon de grille (6) ayant une paroi latérale (20) est formé. Un film d'isolation de grille est formé sur la paroi latérale (20) du sillon de grille (6). Une électrode de grille est formée sur le film d'isolation de grille. La couche de carbure de silicium a une forme cristallisée soit hexagonale, soit cubique. Lorsque la couche de carbure de silicium a une forme cristallisée hexagonale, la paroi latérale du sillon de grille comprend sensiblement soit une surface {0-33-8}, soit une surface {01-1-4}, et lorsque la couche de carbure de silicium a une forme cristallisée cubique, la paroi latérale du sillon de grille comprend sensiblement une surface {100}.
(JA) 炭化珪素層上に堆積法によってマスク層(17)が形成される。マスク層(17)がパターニングされる。パターニングされたマスク層(17)をマスクとして用いたエッチングによって炭化珪素層を部分的に除去することで、側壁(20)を有するゲート溝(6)が形成される。ゲート溝(6)の側壁(20)上にゲート絶縁膜が形成される。ゲート絶縁膜上にゲート電極が形成される。炭化珪素層は六方晶および立方晶のいずれかの結晶型を有し、ゲート溝の側壁は、炭化珪素層の結晶型が六方晶の場合には実質的に{0-33-8}面および{01-1-4}面のいずれか一方を含み、炭化珪素層の結晶型が立方晶の場合には実質的に{100}面を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)