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1. (WO2013038775) 電力用半導体素子のゲート駆動回路、および電力用半導体素子の駆動方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/038775    国際出願番号:    PCT/JP2012/066216
国際公開日: 21.03.2013 国際出願日: 26.06.2012
IPC:
H02M 1/08 (2006.01), H03K 17/08 (2006.01), H03K 17/687 (2006.01)
出願人: Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKATAKE Hiroshi [--/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKATAKE Hiroshi; (JP)
代理人: OIWA Masuo; 35-8,Minamimukonoso 3-chome,Amagasaki-shi, Hyogo 6610033 (JP)
優先権情報:
2011-199074 13.09.2011 JP
発明の名称: (EN) GATE DRIVE CIRCUIT FOR POWER SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD FOR DRIVING POWER SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) CIRCUIT D'EXCITATION DE PORTILLON POUR ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE, ET PROCÉDÉ POUR EXCITER UN ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) 電力用半導体素子のゲート駆動回路、および電力用半導体素子の駆動方法
要約: front page image
(EN)This gate drive circuit for a power semiconductor element is provided with a gate current limiting circuit (7), which has output thereof connected to a gate terminal (50) of a power semiconductor element (1), and limits a gate current of the power semiconductor element (1). The gate drive circuit has a configuration wherein: the power semiconductor element (1) is turned on by having, as input to the gate current limiting circuit (7), a first voltage supply (13) controlled by means of control signals; and switching is performed at predetermined timing after the power semiconductor element (1) is turned on such that a voltage at the gate terminal (50) of the power semiconductor element (1) is a voltage lower than that of the first voltage supply.
(FR)La présente invention concerne un circuit d'excitation de portillon pour un élément à semi-conducteur de puissance qui est pourvu d'un circuit de limitation de courant de portillon (7), dont la sortie est connectée à une borne de portillon (50) d'un élément à semi-conducteur de puissance (1), et limite un courant de portillon de l'élément à semi-conducteur de puissance (1). Le circuit d'excitation de portillon présente une configuration dans laquelle : l'élément à semi-conducteur de puissance (1) est allumé en possédant, en tant qu'entrée du circuit de limitation de courant de portillon (7), une première alimentation en tension (13) commandée au moyen de signaux de commande ; et une commutation est réalisée à une synchronisation prédéterminée après que l'élément à semi-conducteur de puissance (1) est allumé de sorte qu'une tension au niveau de la borne de portillon (50) de l'élément à semi-conducteur de puissance (1) soit une tension inférieure à celle de la première alimentation en tension.
(JA) 出力が電力用半導体素子(1)のゲート端子(50)に接続され、電力用半導体素子(1)のゲート電流を制限するゲート電流制限回路(7)を備えた電力用半導体素子のゲート駆動回路において、制御信号で制御される第一の電圧源(13)をゲート電流制限回路(7)の入力として電力用半導体素子(1)をオンさせ、電力用半導体素子(1)がオンした後の所定のタイミングで、電力用半導体素子(1)のゲート端子(50)における電圧が、第一の電圧源の電圧よりも低い電圧となるよう切り替える構成とした。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)