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1. (WO2013038768) 太陽電池及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/038768    国際出願番号:    PCT/JP2012/066111
国際公開日: 21.03.2013 国際出願日: 25.06.2012
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: SANYO Electric Co., Ltd. [JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi City, Osaka 5708677 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HISHIDA, Yuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HISHIDA, Yuji; (JP)
代理人: MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
優先権情報:
2011-197869 12.09.2011 JP
発明の名称: (EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 太陽電池及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a solar cell, which has improved passivation characteristics and does not require a complicated process in manufacture. A solar cell (1) is provided with a photoelectric conversion unit (10), a p-side electrode (22), and an n-side electrode (21). The p-side electrode (22) and the n-side electrode (21) are disposed on the photoelectric conversion unit (10). The photoelectric conversion unit (10) has a substrate (11) composed of a semiconductor material, and a substantially intrinsic i-type amorphous semiconductor layer (12). The i-type amorphous semiconductor layer (12) is disposed between the substrate (11) and the electrodes, i.e., the p-side electrode (22) and the n-side electrode (21). In an i-type amorphous semiconductor layer (12) portion positioned between the p-side electrode (22) and the substrate (11), a p-type dopant is diffused, and a crystallized p-type region (12p) is provided. In an i-type amorphous semiconductor layer (12) portion positioned between the n-side electrode (21) and the substrate (11), an n-type dopant is diffused, and a crystallized n-type region (12n) is provided.
(FR)L'invention concerne une cellule solaire qui offre des caractéristiques améliorées de passivation et qui ne nécessite pas un processus compliqué de fabrication. Une cellule solaire (1) comprend une unité de conversion photoélectrique (10), une électrode côté p (22) et une électrode côté n (21). L'électrode côté p (22) et l'électrode côté n (21) sont disposées sur l'unité de conversion photoélectrique (10). L'unité de conversion photoélectrique (10) possède un substrat (11) fait d'un matériau semi-conducteur et une couche semi-conductrice amorphe de type i (12) substantiellement intrinsèque. La couche semi-conductrice amorphe de type i (12) est disposée entre le substrat (11) et les électrodes, à savoir l'électrode côté p (22) et l'électrode côté n (21). Dans une partie de la couche semi-conductrice amorphe de type i (12) placée entre l'électrode côté p (22) et le substrat (11), un dopant de type p est diffusé et une région cristallisée de type p (12p) est formée. Dans une partie de la couche semi-conductrice amorphe de type i (12) placée entre l'électrode côté n (21) et le substrat (11), un dopant de type n est diffusé et une région cristallisée de type n (12n) est formée.
(JA) 改善されたパッシベーション特性を有し、且つ製造に複雑なプロセスを必要としない太陽電池を提供する。 太陽電池1は、光電変換部10と、p側電極22及びn側電極21とを備えている。p側電極22及びn側電極21は、光電変換部10の上に配されている。光電変換部10は、半導体材料からなる基板11と、実質的に真性なi型非晶質半導体層12とを有する。i型非晶質半導体層12は、p側電極22及びn側電極21と基板11との間に配されている。i型非晶質半導体層12のp側電極22と基板11との間に位置している部分に、p型ドーパントが拡散しており、且つ結晶化されたp型領域12pが設けられている。i型非晶質半導体層12のn側電極21と基板11との間に位置している部分に、n型ドーパントが拡散しており、且つ結晶化されたn型領域12nが設けられている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)