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1. (WO2013035845) Ga23系半導体素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/035845    国際出願番号:    PCT/JP2012/072902
国際公開日: 14.03.2013 国際出願日: 07.09.2012
IPC:
H01L 29/12 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: TAMURA CORPORATION [JP/JP]; 1-19-43, Higashi-Oizumi, Nerima-ku, Tokyo 1788511 (JP) (米国を除く全ての指定国).
National Institute of Information and Communications Technology [JP/JP]; 4-2-1, Nukui-Kitamachi, Koganei-shi, Tokyo 1848795 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SASAKI, Kohei [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIGASHIWAKI, Masataka [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SASAKI, Kohei; (JP).
HIGASHIWAKI, Masataka; (JP)
代理人: HIRATA, Tadao; Hirata & Partners, 29th Floor, Shinjuku Front Tower, 2-21-1, Kitashinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1690074 (JP)
優先権情報:
2011-196440 08.09.2011 JP
発明の名称: (EN) GA2O3 SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR DE GA2O3
(JA) Ga23系半導体素子
要約: front page image
(EN)Provided is a high-quality Ga2O3 semiconductor element. Provided is, as one embodiment of the present invention, a Ga2O3 semiconductor element (20), which includes: an n-type β-Ga2O3 substrate (2); a β-Ga2O3 single crystal film (3), which is formed on the n-type β-Ga2O3 substrate (2); source electrodes (22a, 22b), which are formed on the β-Ga2O3 single crystal film (3); a drain electrode (25), which is formed on the n-type β-Ga2O3 substrate (2) surface on the reverse side of the β-Ga2O3 single crystal film (3); n-type contact regions (23a, 23b), which are formed in the β-Ga2O3 single crystal film (3), and have the source electrodes (22a, 22b) connected thereto, respectively; and a gate electrode (21), which is formed on the β-Ga2O3 single crystal film (3) with the gate insulating film (26) therebetween.
(FR)La présente invention porte sur un élément semi-conducteur de Ga2O3 de qualité élevée. L'invention porte en particulier, selon un mode de réalisation de la présente invention, sur un élément semi-conducteur de Ga2O3 (20) qui comprend : un substrat de Ga2O3-β de type n (2); un film monocristallin de Ga2O3-β (3), qui est formé sur le substrat de Ga2O3-β de type n (2); des électrodes de source (22a, 22b) qui sont formées sur le film monocristallin de Ga2O3-β (3); une électrode de drain (25), qui est formée sur la surface de substrat de Ga2O3-β de type n (2) sur le côté inverse du film monocristallin de Ga2O3-β (3); des régions de contact de type n (23a, 23b), qui sont formées dans le film monocristallin de Ga2O3-β (3) et ont les électrodes de source (22a, 22b) reliées à celles-ci, respectivement; et une électrode de grille (21) qui est formée sur le film monocristallin de Ga2O3-β, (3) le film isolant de grille (26) étant entre ceux-ci.
(JA) 高品質のGa23系半導体素子を提供する。 一実施の形態として、n型β-Ga23基板2と、n型β-Ga23基板2上に形成されたβ-Ga23単結晶膜3と、β-Ga23単結晶膜3上に形成されたソース電極22a、22bと、n型β-Ga23基板2のβ-Ga23単結晶膜3と反対側の面上に形成されたドレイン電極25と、β-Ga23単結晶膜3中に形成され、ソース電極22a、22bが接続されたn型のコンタクト領域23a、23bと、β-Ga23単結晶膜3上にゲート絶縁膜26を介して形成されたゲート電極21と、を含むGa23系半導体素子20を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)