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1. (WO2013035843) Ga23系半導体素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/035843    国際出願番号:    PCT/JP2012/072899
国際公開日: 14.03.2013 国際出願日: 07.09.2012
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01), H01L 21/36 (2006.01), H01L 21/385 (2006.01), H01L 21/425 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: TAMURA CORPORATION [JP/JP]; 1-19-43, Higashi-Oizumi, Nerima-ku, Tokyo 1788511 (JP) (米国を除く全ての指定国).
National Institute of Information and Communications Technology [JP/JP]; 4-2-1, Nukui-Kitamachi, Koganei-shi, Tokyo 1848795 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KYOTO UNIVERSITY [JP/JP]; 36-1, Yoshida-honmachi, Sakyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6068501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SASAKI, Kohei [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIGASHIWAKI, Masataka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUJITA, Shizuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SASAKI, Kohei; (JP).
HIGASHIWAKI, Masataka; (JP).
FUJITA, Shizuo; (JP)
代理人: HIRATA, Tadao; Hirata & Partners, 29th Floor, Shinjuku Front Tower, 2-21-1, Kitashinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1690074 (JP)
優先権情報:
2011-196437 08.09.2011 JP
発明の名称: (EN) Ga2O3 SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR DE Ga2O3
(JA) Ga23系半導体素子
要約: front page image
(EN)Provided is a high-quality Ga2O3 semiconductor element. Provided is, as one embodiment of the present invention, a Ga2O3 MISFET (10), which includes: an n-type α-(AlxGa1-x)2O3 single crystal film (3), which is formed on an α-Al2O3 substrate (2) directly or with other layer therebetween, and is composed of an α-(AlxGa1-x)2O3 single crystal (0≤x<1); a source electrode (12) and a drain electrode (13), which are formed on the n-type α-(AlxGa1-x)2O3 single crystal film (3); contact regions (14, 15), which are formed in the n-type α-(AlxGa1-x)2O3 single crystal film (3), and are connected to the source electrode (12) and the drain electrode (13), respectively; and a gate electrode (11), which is formed on a region between the contact region (14) and the contact region (15) in the n-type α-(AlxGa1-x)2O3 single crystal film (3) with the gate insulating film (16) therebetween.
(FR)La présente invention porte sur un élément semi-conducteur de Ga2O3 de qualité élevée. La présente invention porte en particulier, selon un mode de réalisation de la présente invention, sur un transistor à effet de champ à semi-conducteur métal-isolant (MISFET) de Ga2O3 (10) qui comprend : un film monocristallin de (AlxGa1-x)2O3-α de type n (3), qui est formé sur un substrat de Al2O3-α (2) directement ou avec une autre couche entre ceux-ci, et est composé d'un monocristal de (AlxGa1-x)2O3-α (0≤x<1); une électrode de source (12) et une électrode de drain (13) qui sont formées sur le film monocristallin de (AlxGa1-x)2O3-α de type n (3); des régions de contact (14, 15), qui sont formées dans le film monocristallin de (AlxGa1-x)2O3-α de type n (3) et sont reliées à l'électrode de source (12) et à l'électrode de drain (13), respectivement; et une électrode de grille (11), qui est formée sur une région entre la région de contact (14) et la région de contact (15) dans le film monocristallin de (AlxGa1-x)2O3-α de type n, (3) le film isolant de grille (16) étant entre celles-ci.
(JA) 高品質のGa23系半導体素子を提供する。 一実施の形態として、α-Al23基板2上に直接、又は他の層を介して形成されたα-(AlxGa1-x23単結晶(0≦x<1)からなるn型α-(AlxGa1-x23単結晶膜3と、n型α-(AlxGa1-x23単結晶膜3上に形成されたソース電極12及びドレイン電極13と、n型α-(AlxGa1-x23単結晶膜3中に形成され、ソース電極12及びドレイン電極13にそれぞれ接続されたコンタクト領域14、15と、n型α-(AlxGa1-x23単結晶膜3のコンタクト領域14とコンタクト領域15との間の領域上にゲート絶縁膜16を介して形成されたゲート電極11と、を含むGa23系MISFET10を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)