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1. (WO2013035817) 半導体装置および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/035817    国際出願番号:    PCT/JP2012/072822
国際公開日: 14.03.2013 国際出願日: 06.09.2012
IPC:
H01L 29/861 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KIRISAWA, Mitsuaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KIRISAWA, Mitsuaki; (JP)
代理人: SAKAI, Akinori; A. SAKAI & ASSOCIATES, 20F, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
優先権情報:
2011-195969 08.09.2011 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)An n-type epitaxial layer (10) that forms an n--type drift layer (2) is formed on the upper surface of an n-type semiconductor substrate (an n-type cathode layer (1)) that is doped with antimony at high concentration. A p-type anode layer (3) is formed in the surface of the n--type drift layer (2). An n-type contact layer (4) is formed on the lower surface of the n-type cathode layer (1) at an impurity concentration generally equal to or higher than the impurity concentration of the n-type cathode layer (1). A cathode electrode (6) is formed so as to be in contact with the n-type contact layer (4). The n-type contact layer (4) is doped with phosphorus and heat treated at a low temperature of 500°C or less, so that recrystallization is not completed and lattice defects remain. Consequently, cracks of a wafer can be minimized in a diode, a MOSFET or the like, while ensuring a good ohmic contact between a semiconductor layer on the back surface of the wafer and a metal electrode.
(FR)Selon l'invention, une couche épitaxiale du type n (10) qui forme une couche de dérive du type n- (2) est formée sur la surface supérieure d'un substrat semi-conducteur du type n (une couche de cathode du type n (1)) qui est dopée à l'antimoine à forte concentration. Une couche d'anode du type p (3) et formée dans la surface de la couche de dérive du type n- (2). Une couche de contact du type n (4) est formée sur la surface inférieure de la couche de cathode du type n (1) à une concentration d'impureté sensiblement égale ou supérieure à la concentration d'impureté de la couche de cathode du type n (1). Une électrode de cathode (6) est formée de manière à être en contact avec la couche de contact du type n (4). La couche de contact du type n (4) est dopée au phosphore et soumise à traitement thermique à basse température de 500°C ou moins, de telle sorte que la recristallisation n'est pas complète et qu'il subsiste des défauts de réseau. En conséquence, des fissures d'une tranche peuvent être réduites au minimum dans une diode, un transistor MOSFET ou analogue, tout en assurant un bon contact ohmique entre une couche de semi-conducteur sur la surface arrière de la tranche et une électrode métallique.
(JA) 高濃度のアンチモンがドープされてなるn型半導体基板(n型カソード層(1))の上面に、n-型ドリフト層(2)となるn型のエピタキシャル層(10)が形成されている。n-型ドリフト層(2)の表面には、p型アノード層(3)が形成されている。n型カソード層(1)の下面には、n型カソード層(1)の不純物濃度と同程度またはn型カソード層(1)の不純物濃度以上の不純物濃度でn型コンタクト層(4)が形成されている。このn型コンタクト層(4)に接するようにカソード電極(6)が形成されている。このn型コンタクト層(4)には、リンをドープするとともに、500℃以下の低温熱処理によって完全には再結晶化させずに格子欠陥を残留させている。これにより、ダイオードまたはMOSFETなどにおいて、ウエハーの割れを最小限にし、かつウエハー裏面の半導体層と金属電極との良好なオーミックコンタクトを確保することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)