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1. (WO2013035732) CIGS膜の製法およびそれを用いるCIGS太陽電池の製法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/035732    国際出願番号:    PCT/JP2012/072590
国際公開日: 14.03.2013 国際出願日: 05.09.2012
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Shimohozumi 1-chome, Ibaraki-shi, Osaka 5678680 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NISHII Hiroto [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MORITA Shigenori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TERAJI Seiki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HOSOKAWA Kazuhito [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MINEMOTO Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NISHII Hiroto; (JP).
MORITA Shigenori; (JP).
TERAJI Seiki; (JP).
HOSOKAWA Kazuhito; (JP).
MINEMOTO Takashi; (JP)
代理人: SAITOH Yukihiko; City Corp. Minamimorimachi 802, 2-7, Minamimorimachi 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300054 (JP)
優先権情報:
2011-194933 07.09.2011 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING CIGS FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING CIGS SOLAR CELL USING SAME
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM CIGS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE CIGS L'UTILISANT
(JA) CIGS膜の製法およびそれを用いるCIGS太陽電池の製法
要約: front page image
(EN)The present invention relates to a method for producing a CIGS film and a method for manufacturing a CIGS solar cell comprising the film, by which the CIGS film which has high conversion efficiency may be produced at a low cost and a high reproducibility even when a large-area device is manufactured. The present invention comprises a lamination process in which a layer (A) containing indium, gallium and selenium, and a layer (B) containing copper and selenium are stacked on a substrate in this order in a solid phase state, and a heating process in which the CIGS film is obtained by heating a laminated body where the layer (A) and the layer (B) are stacked, melting a compound of the copper and the selenium of the layer (B) and converting the compound into a liquid, diffusing the copper of the layer (B) in the layer (A), and performing a crystal growth.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de production d'un film CIGS et un procédé de fabrication d'une cellule solaire CIGS comprenant le film, par lesquels un film CIGS possédant un rendement de conversion élevé peut être produit à bas coût et avec une forte reproductibilité, même lorsqu'un dispositif à grande superficie est fabriqué. La présente invention comprend un processus de stratification dans lequel une couche (A) contenant de l'indium, du gallium et du sélénium, et une couche (B) contenant du cuivre et du sélénium, sont empilées sur un substrat dans cet ordre, dans un état en phase solide, et un processus de chauffage dans lequel le film CIGS est obtenu par chauffage d'un corps stratifié dans lequel la couche (A) et la couche (B) sont empilées, fusion d'un composé du cuivre et du sélénium de la couche (B) et conversion du composé en un liquide, diffusion du cuivre de la couche (B) dans la couche (A) et réalisation d'une croissance cristalline.
(JA) 大面積素子を製造する場合であっても、変換効率に優れるCIGS膜を、低コストで再現性よく製造できるCIGS膜の製法およびそれを含むCIGS太陽電池の製法を提供するため、インジウムとガリウムとセレンとを含む層(A)と、銅とセレンとを含む層(B)を、固相状態でこの順で基板に積層する積層工程と、上記層(A)および層(B)が積層された積層体を加熱し、上記層(B)の銅とセレンの化合物を溶融させ液相状態とすることにより、上記層(A)中に上記層(B)中の銅を拡散させ、結晶成長させてCIGS膜を得る加熱工程とを有するようにした。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)