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1. (WO2013035691) SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/035691    国際出願番号:    PCT/JP2012/072454
国際公開日: 14.03.2013 国際出願日: 04.09.2012
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), C30B 25/20 (2006.01), C30B 29/36 (2006.01)
出願人: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MOMOSE Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ODAWARA Michiya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MUTO Daisuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAGESHIMA Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MOMOSE Kenji; (JP).
ODAWARA Michiya; (JP).
MUTO Daisuke; (JP).
KAGESHIMA Yoshiaki; (JP)
代理人: SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
優先権情報:
2011-197626 09.09.2011 JP
発明の名称: (EN) SIC EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) TRANCHE ÉPITAXIALE DE SIC ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI
(JA) SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention relates to a SiC epitaxial wafer with a reduced surface density of a stacking fault, and a method for manufacturing the same. The method of the present invention comprises determining a stacking fault ratio at a SiC epitaxial membrane having a predetermined thickness formed on a SiC single crystal substrate in a basal plane dislocation (BPD) present at a growth plane of the SiC single crystal substrate having an off angle, determining an upper limit of a surface density of the BPD at the growth plane of the SiC single crystal substrate in use based on the ratio, and forming the SiC epitaxial membrane on the SiC single crystal substrate by using the SiC single crystal substrate below the upper limit in the same condition as a growth condition of the epitaxial membrane used when determining the ratio.
(FR)La présente invention concerne une tranche épitaxiale de SiC ayant une densité de surface réduite d'un défaut d'empilement, et un procédé de fabrication de celle-ci. Le procédé de la présente invention comprend la détermination d'un rapport de défauts d'empilement au niveau d'une membrane épitaxiale de SiC ayant une épaisseur prédéterminée formée sur un substrat monocristallin de SiC dans une dislocation plane basale (BPD) présente à un plan de croissance du substrat monocristallin de SiC ayant un angle de décalage, la détermination d'une limite supérieure d'une densité de surface de la BPD au plan de croissance du substrat monocristallin de SiC, en utilisation, sur la base du rapport, et la formation de la membrane épitaxiale de SiC sur le substrat monocristallin de SiC par utilisation du substrat monocristallin de SiC sous la limite supérieure dans la même condition qu'une condition de croissance de la membrane épitaxiale utilisée lors de la détermination du rapport.
(JA)積層欠陥の面密度が低減されたSiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法が提供される。そのようなSiCエピタキシャルウェハの製造方法は、オフ角を有するSiC単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(BPD)のうち、SiC単結晶基板上に形成された、所定膜厚のSiCエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率を決定する工程と、比率に基づいて、使用するSiC単結晶基板の成長面におけるBPDの面密度の上限を決定する工程と、上限以下のSiC単結晶基板を用いて、比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、SiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)