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1. (WO2013035686) 薄膜光電変換装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/035686    国際出願番号:    PCT/JP2012/072443
国際公開日: 14.03.2013 国際出願日: 04.09.2012
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 3-18, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KADOTA, Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SASAKI, Toshiaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KADOTA, Naoki; (JP).
SASAKI, Toshiaki; (JP)
代理人: SHINTAKU, Masato; IZANAGI IP LAW FIRM, Toa Bldg., 5-7, Minamihonmachi 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
優先権情報:
2011-195190 07.09.2011 JP
発明の名称: (EN) THIN FILM PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE EN COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 薄膜光電変換装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention relates to a thin film photoelectric conversion device which comprises an amorphous germanium photoelectric conversion layer (53). This thin film photoelectric conversion device comprises an amorphous germanium photoelectric conversion unit (5) that is provided, between a p-type semiconductor layer (51) and an n-type semiconductor layer (54), with the amorphous germanium photoelectric conversion layer (53), which is substantially intrinsic and does not substantially contain a silicon atom. In the thin film photoelectric conversion device of one embodiment of the present invention, a crystalline silicon photoelectric conversion unit (4) that comprises a crystalline silicon photoelectric conversion layer (43) is arranged closer to the light incident side than the amorphous germanium photoelectric conversion unit (5). In this embodiment, it is preferable that the quantum efficiency of the amorphous germanium photoelectric conversion unit (5) at a wavelength of 900 nm is 30% or more.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de conversion photoélectrique en couches minces qui comprend une couche de conversion photoélectrique de germanium amorphe (53). Ce dispositif de conversion photoélectrique en couches minces comprend une unité de conversion photoélectrique de germanium amorphe (5) qui est munie, entre une couche semi-conductrice de type p (51) et une couche semi-conductrice de type n (54), de la couche de conversion photoélectrique de germanium amorphe (53), qui est sensiblement intrinsèque et ne contient sensiblement pas d'atome de silicium. Dans le dispositif de conversion photoélectrique en couches minces d'un mode de réalisation de la présente invention, une unité de conversion photoélectrique de silicium cristallisé (4) qui comprend une couche de conversion photoélectrique de silicium cristallisé (43) est agencée plus près du côté incidence de lumière que l'unité de conversion photoélectrique de germanium amorphe (5). Dans ce mode de réalisation, il est préférable que l'efficacité quantique de l'unité de conversion photoélectrique de germanium amorphe (5) à une longueur d'onde de 90 nm soit de 30 % ou plus.
(JA)本発明は、非晶質ゲルマニウム光電変換層(53)を含む薄膜光電変換装置に関する。本発明の薄膜光電変換装置は、p型半導体層(51)とn型半導体層(54)の間に、実質的に真性であり、実質的にシリコン原子を含まない非晶質ゲルマニウム光電変換層(53)を備える、非晶質ゲルマニウム光電変換ユニット(5)を含む。一実施形態にかかる本発明の薄膜光電変換装置では、非晶質ゲルマニウム光電変換ユニット(5)よりも光入射側に、結晶質シリコン光電変換層(43)を有する結晶質シリコン光電変換ユニット(4)が配置されている。一実施形態において、非晶質ゲルマニウム光電変換ユニット(5)の波長900nmにおける量子効率は30%以上であることが好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)