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1. (WO2013035672) 製膜用材料、IV族金属酸化物膜及びビニレンジアミド錯体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/035672    国際出願番号:    PCT/JP2012/072372
国際公開日: 14.03.2013 国際出願日: 03.09.2012
IPC:
C01B 13/32 (2006.01), C01B 33/113 (2006.01), C01G 23/04 (2006.01), C07F 7/10 (2006.01), C07F 7/18 (2006.01), C07F 7/28 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
出願人: TOSOH CORPORATION [JP/JP]; 4560, Kaisei-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7468501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
Sagami Chemical Research Institute [JP/JP]; 2743-1, Hayakawa, Ayase-shi, Kanagawa 2521193 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KINOSHITA Tomoyuki; (米国のみ).
IWANAGA Kohei; (米国のみ).
ASANO Sachio; (米国のみ).
KAWABATA Takahiro; (米国のみ).
OSHIMA Noriaki; (米国のみ).
HIRAI Satori; (米国のみ).
HARADA Yoshinori; (米国のみ).
ARAI Kazuyoshi; (米国のみ).
TADA Ken-ichi; (米国のみ)
発明者: KINOSHITA Tomoyuki; .
IWANAGA Kohei; .
ASANO Sachio; .
KAWABATA Takahiro; .
OSHIMA Noriaki; .
HIRAI Satori; .
HARADA Yoshinori; .
ARAI Kazuyoshi; .
TADA Ken-ichi;
代理人: Shin-Ei Patent Firm, P.C.; Toranomon East Bldg. 8F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2011-192739 05.09.2011 JP
2011-192740 05.09.2011 JP
2011-218284 30.09.2011 JP
2012-026203 09.02.2012 JP
2012-058232 15.03.2012 JP
発明の名称: (EN) FILM-FORMING MATERIAL, GROUP IV METAL OXIDE FILM AND VINYLENE DIAMIDE COMPLEX
(FR) MATIÈRE FILMOGÈNE, FILM D'OXYDE D'UN MÉTAL DU GROUPE IV ET COMPLEXE VINYLÈNE DIAMIDE
(JA) 製膜用材料、IV族金属酸化物膜及びビニレンジアミド錯体
要約: front page image
(EN)The invention provides a method of manufacturing a group IV metal oxide film that is useful as a semiconductor element or an optical element at low temperature. In a method of manufacturing a group IV metal oxide film by applying film-forming material dissolved in an organic solvent onto the substrate surface, performing heat treatment, UV irradiation treatment, or both of these treatments, a film-forming material is employed that is obtained by reacting a vinylene diamide complex having a specific structure with an oxidising agent such as oxygen gas, air, ozone, water, or hydrogen peroxide.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un film d'oxyde d'un métal du groupe IV qui est utile comme élément semi-conducteur ou comme élément optique à une basse température. Dans un procédé de fabrication d'un film d'oxyde d'un métal du groupe IV par application d'une matière filmogène dissoute dans un solvant organique sur la surface du substrat, réalisation d'un traitement thermique, d'un traitement d'irradiation UV ou de ces deux traitements, une matière filmogène est utilisée qui est obtenue par réaction d'un complexe de vinylène diamide ayant une structure spécifique avec un agent oxydant tel que l'oxygène gazeux, l'air, l'ozone, l'eau ou le peroxyde d'hydrogène.
(JA) 本発明の課題は、半導体素子や光学素子として有用なIV族金属酸化物膜を、低い温度で作製する方法を提供することに係る。本発明は、有機溶媒に溶解した製膜用材料を基板表面に塗布し、熱処理、紫外線照射処理、又はその両方の処理をすることによりIV族金属酸化物膜を作製する方法において、製膜用材料として、特定の構造を有するビニレンジアミド錯体を、酸素ガス、空気、オゾン、水、過酸化水素等の酸化剤と反応させて得られる製膜用材料を用いることに係る。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)