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1. (WO2013035539) 研磨剤および研磨方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/035539    国際出願番号:    PCT/JP2012/071266
国際公開日: 14.03.2013 国際出願日: 23.08.2012
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), B24B 37/00 (2012.01)
出願人: ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YOSHIDA Iori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKEMIYA Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TOMONAGA Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YOSHIDA Iori; (JP).
TAKEMIYA Satoshi; (JP).
TOMONAGA Hiroyuki; (JP)
代理人: SAKURA PATENT OFFICE, p.c.; PMO Kanda Tsukasa-machi, 8-1, Kanda Tsukasa-machi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010048 (JP)
優先権情報:
2011-192887 05.09.2011 JP
発明の名称: (EN) POLISHING AGENT AND POLISHING METHOD
(FR) AGENT DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE
(JA) 研磨剤および研磨方法
要約: front page image
(EN)A non-oxide single crystal substrate such as a silicon carbide single crystal substrate is polished at high polishing rate, thereby obtaining a flat and smooth surface. Provided is a polishing agent which contains: an oxidant that contains a transition metal and has a redox potential of 0.5 V or more; silica particles that have an average secondary particle diameter of 0.2 μm or less; and a dispersion medium. The content of the oxidant is from 0.25% by mass to 5% by mass (inclusive), and the content of the silica particles is 0.01% by mass or more but less than 20% by mass.
(FR)Un substrat monocristallin non oxyde, par exemple un substrat monocristallin de carbure de silicium est poli à une grande vitesse de polissage, obtenant ainsi une surface plate et lisse. L'invention concerne un agent de polissage qui contient : un oxydant qui contient un métal de transition et a un potentiel redox supérieur ou égal à 0,5 V ; des particules de silice qui ont un diamètre de particule secondaire moyen inférieur ou égal à 0,2 µm ; et un fluide de dispersion. La teneur en oxydant est comprise entre 0,25 % en masse et 5 % en masse (inclus), et la teneur en particules de silice est supérieure ou égale à 0,01 % en masse mais inférieure à 20 % en masse.
(JA) 炭化ケイ素単結晶基板等の非酸化物単結晶基板を、高い研磨速度で研磨し、平滑な表面を得る。酸化還元電位が0.5V以上の、遷移金属を含む酸化剤と、平均2次粒子径が0.2μm以下のシリカ粒子と、分散媒とを含有し、前記酸化剤の含有割合が0.25質量%以上5質量%以下であり、かつ前記シリカ粒子の含有割合が0.01質量%以上20質量%未満である研磨剤を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)