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1. (WO2013035510) プラズマエッチング方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/035510    国際出願番号:    PCT/JP2012/070811
国際公開日: 14.03.2013 国際出願日: 16.08.2012
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
出願人: SPP TECHNOLOGIES CO., LTD. [JP/JP]; Keidanren Kaikan 15F, 3-2 Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MURAKAMI, Shoichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IKEMOTO, Naoya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MURAKAMI, Shoichi; (JP).
IKEMOTO, Naoya; (JP)
代理人: MURAKAMI, Satoshi; Dojima Building, 7th Floor, 6-8 Nishitemma 2-Chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
優先権情報:
2011-193129 05.09.2011 JP
発明の名称: (EN) PLASMA ETCHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE AU PLASMA
(JA) プラズマエッチング方法
要約: front page image
(EN)The objective of the present invention is to provide a plasma etching method whereby a taper-shaped recess can be formed in a wide-gap semiconductor substrate. As a means for solving the problem, a high-speed etching film (E) having an etching speed higher than that of the wide-gap semiconductor substrate (K) is formed on the surface of the wide-gap semiconductor substrate (K), and a mask (M) having an opening is formed on the high-speed etching film. Then, the wide-gap semiconductor substrate (K) having the high-speed etching film (E) and the mask (M) formed thereon is placed on a base, and the wide-gap semiconductor substrate (K) is heated to 200°C or higher, then, an etching gas supplied to the inside of a process chamber is brought into the plasma state, bias potential is applied to the base, and the wide-gap semiconductor substrate (K) is etched.
(FR)La présente invention vise à fournir un procédé de gravure au plasma par lequel un renfoncement en forme de cône peut être formé dans un substrat semi-conducteur à large bande interdite. En tant que moyen pour résoudre le problème, un film de gravure à vitesse élevée (E) ayant une vitesse de gravure supérieure à celle du substrat semi-conducteur à large bande interdite (K) est formé sur la surface du substrat semi-conducteur à large bande interdite (K) et un masque (M) ayant une ouverture est formé sur le film de gravure à vitesse élevée. Ensuite, le substrat semi-conducteur à large bande interdite (K) ayant le film de gravure à vitesse élevée (E) et le masque (M) formés sur celui-ci est placé sur une base, et le substrat semi-conducteur à large bande interdite (K) est chauffé à 200°C ou plus, puis un gaz de gravure distribué à l'intérieur d'une chambre de traitement est amené à l'état plasma, un potentiel de polarisation est appliqué à la base et le substrat semi-conducteur à large bande interdite (K) est gravé.
(JA) 本発明の解決課題は、ワイドギャップ半導体基板にテーパ状の凹部を形成することができるプラズマエッチング方法を提供することである。解決手段としては、ワイドギャップ半導体基板Kの表面に、当該ワイドギャップ半導体基板Kよりもエッチング速度の大きな高速エッチング膜Eを形成させ、その上に開口部を有したマスクMを形成する。そして、高速エッチング膜E及びマスクMが形成されたワイドギャップ半導体基板Kを基台に載置し、当該ワイドギャップ半導体基板Kを200℃以上に加熱した後、処理チャンバ内に供給されたエッチングガスをプラズマ化するとともに、基台にバイアス電位を与え、ワイドギャップ半導体基板Kをエッチングする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)