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1. (WO2013035498) 多結晶シリコンインゴットの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/035498    国際出願番号:    PCT/JP2012/070605
国際公開日: 14.03.2013 国際出願日: 13.08.2012
IPC:
C01B 33/02 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHIOTSUKA, Naoyuki; (米国のみ).
OISHI, Ryuichi; (米国のみ).
UENO, Kazuya; (米国のみ).
KAJIMOTO, Kimihiko; (米国のみ)
発明者: SHIOTSUKA, Naoyuki; .
OISHI, Ryuichi; .
UENO, Kazuya; .
KAJIMOTO, Kimihiko;
代理人: Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2011-197040 09.09.2011 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN LINGOT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA) 多結晶シリコンインゴットの製造方法
要約: front page image
(EN)This method for manufacturing a polycrystalline silicon ingot is provided with: a heating step wherein a three-phase alternating current is supplied to 3n resistive heaters (n is a natural number) disposed on the circumference of a crucible (20), and a molten silicon inside of the crucible (20) is heated, while having a rotating magnetic field operate, said rotating magnetic field having been generated due to the three-phase alternating current; and a cooling step wherein the silicon is solidified by cooling the silicon from a bottom portion of the crucible (20) toward an upper portion, while having the rotating magnetic field operate.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un lingot de silicium polycristallin qui comporte : une étape de chauffage dans laquelle un courant alternatif triphasé est fourni à 3n dispositifs de chauffage résistif (n est un nombre naturel) disposés sur la circonférence d'un creuset (20), et un silicium fondu à l'intérieur du creuset (20) est chauffé, tout en faisant agir un champ magnétique tournant, ledit champ magnétique tournant ayant été généré en raison du courant alternatif triphasé ; et une étape de refroidissement dans laquelle le silicium est solidifié par refroidissement du silicium à partir d'une partie inférieure du creuset (20) vers une partie supérieure, tout en faisant agir le champ magnétique en rotation.
(JA) 多結晶シリコンインゴットの製造方法は、坩堝(20)の周囲に配置された3n個(nは自然数)の抵抗加熱ヒータに3相交流を供給し、3相交流によって生じる回転磁場を作用させつつ、坩堝(20)内の溶融シリコンを加熱する加熱工程と、上記回転磁場を作用させつつ、坩堝(20)の底部から上部に向けて冷却してシリコンを凝固させる冷却工程と備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)