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1. (WO2013035465) Ga系単結晶体のドナー濃度制御方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/035465    国際出願番号:    PCT/JP2012/069710
国際公開日: 14.03.2013 国際出願日: 02.08.2012
IPC:
H01L 21/425 (2006.01)
出願人: TAMURA CORPORATION [JP/JP]; 1-19-43, Higashi-Oizumi, Nerima-ku, Tokyo 1788511 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SASAKI, Kohei [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SASAKI, Kohei; (JP)
代理人: HIRATA, Tadao; Hirata & Partners, 29th Floor, Shinjuku Front Tower, 2-21-1, Kitashinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1690074 (JP)
優先権情報:
2011-196434 08.09.2011 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR CONTROLLING CONCENTRATION OF DONOR IN GA2O3-BASED SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE RÉGULATION DE LA CONCENTRATION DE DONNEUR DANS UN MONOCRISTAL À BASE DE GA2O3
(JA) Ga系単結晶体のドナー濃度制御方法
要約: front page image
(EN)A method for controlling the concentration of a donor in a Ga2O3-based single crystal using the ion implantation process is provided with which it is possible to form a highly electrically conductive region in a Ga2O3-based single crystal. The method comprises: a step in which a Group IV element is implanted as a donor impurity in a Ga2O3-based single crystal (1) by the ion implantation process to form, in the Ga2O3-based single crystal (1), a donor impurity implantation region (3) that has a higher concentration of the Group IV element than the region in which the Group IV element has not been implanted; and a step in which annealing at 800ºC or higher is conducted to activate the Group IV element present in the donor impurity implantation region (3) and thereby form a high-donor-concentration region. Thus, the donor concentration in the Ga2O3-based single crystal (1) is controlled.
(FR)L'invention concerne un procédé de régulation de la concentration d'un donneur dans un monocristal à base de Ga2O3 à l'aide du procédé d'implantation d'ions avec lequel il est possible de former une région hautement conductrice de l'électricité dans un monocristal à base de Ga2O3. Le procédé comprend : une étape dans laquelle un élément du Groupe IV est implanté en tant qu'impureté donneuse dans un monocristal à base de Ga2O3 (1) par le procédé d'implantation d'ions pour former, dans le monocristal à base de Ga2O3 (1), une région d'implantation d'impureté donneuse (3) qui présente une concentration de l'élément du Groupe IV supérieure aux régions dans lesquelles l'élément du Groupe IV n'a pas été implanté; et une étape dans laquelle un recuit à 800 °C ou plus est effectué pour activer l'élément du Groupe IV présent dans la région d'implantation d'impureté donneuse (3) et former par là une région à concentration élevée de donneur. Ainsi, la concentration de donneur dans le monocristal à base de Ga2O3 (1) est régulée.
(JA)優れた導電性を有する領域をGa系単結晶体中に形成することのできる、イオン注入法を用いたGa系単結晶体のドナー濃度制御方法を提供する。 イオン注入法により、Ga系単結晶体1にドナー不純物としてIV族元素を導入し、Ga系単結晶体1中に、IV族元素を注入していない領域よりもIV族元素の濃度の高いドナー不純物注入領域3を形成する工程と、800℃以上のアニール処理により、ドナー不純物注入領域3中のIV族元素を活性化させ、高ドナー濃度領域を形成する工程と、を含む方法により、Ga系単結晶体1のドナー濃度を制御する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)