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1. (WO2013035430) TFT基板の欠陥検査装置及び方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/035430    国際出願番号:    PCT/JP2012/067627
国際公開日: 14.03.2013 国際出願日: 10.07.2012
IPC:
G01N 25/72 (2006.01), G01N 21/956 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YANASE, Masakazu; (米国のみ)
発明者: YANASE, Masakazu;
代理人: HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
優先権情報:
2011-193512 06.09.2011 JP
発明の名称: (EN) DEFECT INSPECTION DEVICE AND METHOD FOR TFT SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE CONTRÔLE DES DÉFAUTS POUR SUBSTRAT TFT
(JA) TFT基板の欠陥検査装置及び方法
要約: front page image
(EN)This defect inspection device (100) detects a short-circuit defect that generates heat by the passage of an electric current through wires on a TFT substrate (2) by an infrared camera (5). The defect inspection device is provided with an infrared source (10) which applies infrared rays to the TFT substrate (2), a data storage unit (9) which holds a reference image of the TFT substrate (2), and a main control unit (7) which serves as an image processing unit for performing matching between an infrared image obtained by the infrared camera (5) and the reference image. The infrared source (10) is installed on the same side as the infrared camera (5) with respect to the TFT substrate (2). Consequently, a defect inspection device and method wherein the difference between pattern materials such as wires and glass becomes clearly obvious irrespective of the material of the TFT substrate can be provided.
(FR)L'invention concerne un dispositif de contrôle des défauts (100) qui détecte un défaut de type court-circuit qui génère de la chaleur par le passage d'un courant électrique à travers les fils d'un substrat TFT (2) avec une caméra à infrarouges (5). Le dispositif de contrôle des défauts comprend une source d'infrarouges (10) qui applique des rayons infrarouges au substrat TFT (2), une unité de stockage de données (9) qui conserve une image de référence du substrat TFT (2) et une unité de commande principale (7) qui sert d'unité de traitement d'image pour effectuer une mise en correspondance entre une image infrarouge obtenue par la caméra à infrarouges (5) et l'image de référence. La source d'infrarouges (10) est installée du même côté que la caméra à infrarouges (5) par rapport au substrat TFT (2). Par conséquent, il est possible de réaliser un dispositif et un procédé de contrôle des défauts avec lequel la différence entre les matériaux à motifs tels que les fils et le verre deviennent parfaitement évidentes indépendamment du matériau du substrat TFT.
(JA) 本発明の欠陥検査装置(100)は、TFT基板(2)の配線を通電することにより発熱する短絡欠陥を赤外カメラ(5)で検出する。TFT基板(2)に赤外線を照射する赤外線源(10)と、TFT基板(2)の基準画像を保持するデータ記憶部(9)と、赤外カメラ(5)で得られた赤外画像と基準画像とのマッチングを行う画像処理部としての主制御部(7)とを備える。赤外線源(10)は、TFT基板(2)から見て赤外カメラ(5)と同じ側に設置される。これにより、TFT基板の材質に依らず、配線やガラスなどのパターン材質の差異を、明瞭に顕在化する欠陥検査装置及び方法を提供することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)